Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 39

ULN2004AIDR

aksione: 179925

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA,

Për të demluar

Texas Instruments

ULN2003ANE4

aksione: 108492

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA,

Për të demluar

Texas Instruments

ULN2003BDR

aksione: 160363

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PBSS5230PAP,115

aksione: 148433

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 420mv @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PUMX1,115

aksione: 106417

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PHPT610030NPKX

aksione: 121393

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 330mV @ 300mA, 3A / 110mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 10V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PBSS4112PANP,115

aksione: 194119

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 120mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PBSS4032SPN,115

aksione: 155040

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5.7A, 4.8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 300mA, 6A / 510mV @ 250mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PMBT3946YPN,125

aksione: 181115

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

UP0453400L

aksione: 4538

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 65 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

XN0B30100L

aksione: 6508

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP Complementary Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

DMA506010R

aksione: 147841

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

UP0460100L

aksione: 4382

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V / 180 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

UP04501G0L

aksione: 4634

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V,

Për të demluar

STMicroelectronics

ULN2003D1

aksione: 4541

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

JANTXV2N2919L

aksione: 1586

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

JANSR2N2920U

aksione: 4563

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

JANTXV2N6987

aksione: 1339

Lloji i tranzitorit: 4 PNP (Quad), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

JANTX2N2920

aksione: 204

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

JAN2N3811U

aksione: 4458

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

FMY5T148

aksione: 168226

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

ON Semiconductor

MC1413PG

aksione: 128529

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Për të demluar

ON Semiconductor

MMPQ2907A

aksione: 96889

Lloji i tranzitorit: 4 PNP (Quad), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

ZXTD717MCTA

aksione: 126820

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 310mV @ 150mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2.5A, 2V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

ULN2003V12S16-13

aksione: 132682

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA,

Për të demluar

Diodes Incorporated

ZXTD718MCTA

aksione: 103485

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

ZXTD6717E6TC

aksione: 4441

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, 1.25A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 245mV @ 20mA, 1.5A / 240mV @ 100mA, 1.25A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V / 200 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MMDT4126-7-F

aksione: 124439

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MMDT4124-7-F

aksione: 119491

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DSS45160FDB-7

aksione: 130170

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 240mV @ 50mA, 1A / 550mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 2V / 120 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

ZDT6757TA

aksione: 4442

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Central Semiconductor Corp

CMKT5078 TR

aksione: 162501

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V / 250 @ 100µA, 5V,

Për të demluar

Central Semiconductor Corp

CMKT3920 TR

aksione: 186053

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2A01FU-GR(TE85LF

aksione: 4497

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FEYTE85LF

aksione: 4567

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Për të demluar

Analog Devices Inc.

MAT01GHZ

aksione: 3902

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 400nA,

Për të demluar