Transistor&euml;t - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para-

PEMH13,115

aksione: 181198

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

PUMD48,125

aksione: 154082

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

PUMB10,115

aksione: 159782

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

PEMH15,115

aksione: 192225

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

NSBC143ZDXV6T5G

aksione: 126380

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

EMA6DXV5T1G

aksione: 3146

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBA115EDXV6T1G

aksione: 107413

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBA114EDXV6T1G

aksione: 104326

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBC114TDXV6T5

aksione: 1473

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBC143ZDP6T5G

aksione: 129909

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBA114EDXV6T5G

aksione: 1467

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

MUN5315DW1T1

aksione: 1456

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

MUN5330DW1T1G

aksione: 161630

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 1 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBC114EPDP6T5G

aksione: 172427

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

MUN5135DW1T1

aksione: 1492

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBA124EDXV6T1

aksione: 1456

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

NSBC144EPDXV6T5

aksione: 1405

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

EMG2DXV5T5

aksione: 3242

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

RN1967FE(TE85L,F)

aksione: 1500

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2713JE(TE85L,F)

aksione: 125460

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DCX114EU-13R-F

aksione: 105220

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DCX114YU-7-F

aksione: 123031

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

UMD12NTR

aksione: 144674

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

UMA10NTR

aksione: 123852

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 1 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

FMA11AT148

aksione: 163245

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

NP0G3D100A

aksione: 1425

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UP0111300L

aksione: 1430

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UP0121MG0L

aksione: 188783

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

XP0331200L

aksione: 178235

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UP0121M00L

aksione: 114357

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

DMC561070R

aksione: 172642

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

XN0431500L

aksione: 1423

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

UP0411300L

aksione: 3203

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

XN0438100L

aksione: 1443

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 50 @ 100mA, 10V,

Për të demluar