Transistor&euml; - FET, MOSFET - Vargje

FDD3510H

aksione: 147680

Lloji FET: N and P-Channel, Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.3A, 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Për të demluar

FDS6900AS

aksione: 159056

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.9A, 8.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

FDS6898A

aksione: 128074

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar

FDMB3900AN

aksione: 118545

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

FDS6875

aksione: 133470

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar

MCH6663-TL-W

aksione: 154760

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, 4V Drive, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.8A, 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 188 mOhm @ 900mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

Për të demluar

FDS6912A

aksione: 171009

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

FDMD86100

aksione: 131

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Për të demluar

NTLLD4951NFTWG

aksione: 61646

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Për të demluar

US6K2TR

aksione: 124293

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Për të demluar

EM6K33T2R

aksione: 182538

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 50V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 200mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

Për të demluar

SP8M4FRATB

aksione: 91

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Për të demluar

SP8K31FRATB

aksione: 99

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Për të demluar

DMN6070SSD-13

aksione: 104685

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

DMTH6016LSD-13

aksione: 190248

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar

DMN2028UFDH-7

aksione: 132521

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

DMG4822SSD-13

aksione: 199433

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

DMG6898LSD-13

aksione: 109166

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 9.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar

DMC6040SSD-13

aksione: 146822

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.1A, 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

ZXMHC6A07N8TC

aksione: 158542

Lloji FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.39A, 1.28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

DMG6301UDW-7

aksione: 168789

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 240mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar

DMC3016LDV-13

aksione: 172087

Lloji FET: N and P-Channel Complementary, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 7A, 10V, 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Për të demluar

DMC2990UDJQ-7

aksione: 147861

Lloji FET: N and P-Channel Complementary, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), 310mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

Monolithic Power Systems Inc.

DMNH6042SSD-13

aksione: 182552

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

Microchip Technology

TC6321T-V/9U

aksione: 64633

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 1A, 10V, 8 Ohm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA,

Për të demluar

LN60A01ES-LF

aksione: 77637

Lloji FET: 3 N-Channel, Common Gate, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 Ohm @ 10mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar

SI7923DN-T1-E3

aksione: 101885

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

SI5902BDC-T1-E3

aksione: 125159

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

SI5908DC-T1-GE3

aksione: 118967

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

SIZ904DT-T1-GE3

aksione: 140725

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A, 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar

SI7923DN-T1-GE3

aksione: 101842

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar