Transistorë - FET, MOSFET - Vargje

FDG6316P

FDG6316P

aksione: 198667

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 700mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 700mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
NVMFD5C470NWFT1G

NVMFD5C470NWFT1G

aksione: 6533

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11.7A (Ta), 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

Për të demluar
NTMD5838NLR2G

NTMD5838NLR2G

aksione: 169532

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
NVMFD5C446NLWFT1G

NVMFD5C446NLWFT1G

aksione: 6513

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 20A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 90µA,

Për të demluar
NTMD6601NR2G

NTMD6601NR2G

aksione: 3001

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
FDMD8260L

FDMD8260L

aksione: 45703

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
FDC6304P

FDC6304P

aksione: 105335

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 460mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
MMDF2C03HDR2G

MMDF2C03HDR2G

aksione: 3144

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.1A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
EFC8811R-TF

EFC8811R-TF

aksione: 164408

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Për të demluar
NVMFD5C674NLWFT1G

NVMFD5C674NLWFT1G

aksione: 6508

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 25µA,

Për të demluar
NTLUD3A50PZTBG

NTLUD3A50PZTBG

aksione: 190294

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
NVMFD5483NLWFT1G

NVMFD5483NLWFT1G

aksione: 63618

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar
FD6M016N03

FD6M016N03

aksione: 2999

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 80A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
CSD87312Q3E

CSD87312Q3E

aksione: 166053

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 27A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 7A , 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA,

Për të demluar
CSD87384MT

CSD87384MT

aksione: 49054

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7 mOhm @ 25A, 8V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA,

Për të demluar
CSD88584Q5DC

CSD88584Q5DC

aksione: 25476

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95 mOhm @ 30A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Për të demluar
DMHT6016LFJ-13

DMHT6016LFJ-13

aksione: 96906

Lloji FET: 4 N-Channel, Tipar FET: Standard, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 14.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
ZXMHN6A07T8TA

ZXMHN6A07T8TA

aksione: 222

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
DMN3016LDN-7

DMN3016LDN-7

aksione: 134043

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Për të demluar
ZXMN2AMCTA

ZXMN2AMCTA

aksione: 189

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
DMN63D1LV-7

DMN63D1LV-7

aksione: 9996

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 550mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Për të demluar
ZXMN3AMCTA

ZXMN3AMCTA

aksione: 128489

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
DMN4027SSD-13

DMN4027SSD-13

aksione: 149358

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
ZXMN3F31DN8TA

ZXMN3F31DN8TA

aksione: 127158

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
SI4922BDY-T1-E3

SI4922BDY-T1-E3

aksione: 124158

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA,

Për të demluar
SI1903DL-T1-GE3

SI1903DL-T1-GE3

aksione: 3011

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 995 mOhm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
SIZ702DT-T1-GE3

SIZ702DT-T1-GE3

aksione: 130304

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 13.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar
SI4932DY-T1-GE3

SI4932DY-T1-GE3

aksione: 117478

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar
SQJ500AEP-T1_GE3

SQJ500AEP-T1_GE3

aksione: 123903

Lloji FET: N and P-Channel, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,

Për të demluar
SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3

aksione: 152374

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
FMM75-01F

FMM75-01F

aksione: 4572

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA,

Për të demluar
MKE38P600TLB-TRR

MKE38P600TLB-TRR

aksione: 227

Për të demluar
MKE38P600TLB

MKE38P600TLB

aksione: 267

Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc),

Për të demluar
VMK165-007T

VMK165-007T

aksione: 1586

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 70V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 165A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 82.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA,

Për të demluar
TPC8405(TE12L,Q,M)

TPC8405(TE12L,Q,M)

aksione: 3098

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA,

Për të demluar