Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorë - FET, MOSFET - Vargje

CMRDM3575 TR
Central Semiconductor Corp

CMRDM3575 TR

aksione: 101846

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 160mA, 140mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
IRF9952
Infineon Technologies

IRF9952

aksione: 2678

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
IRF7105PBF
Infineon Technologies

IRF7105PBF

aksione: 95108

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
IRF7311TR
Infineon Technologies

IRF7311TR

aksione: 3313

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

Për të demluar
IRF6802SDTR1PBF
Infineon Technologies

IRF6802SDTR1PBF

aksione: 2905

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA,

Për të demluar
IRF6702M2DTRPBF
Infineon Technologies

IRF6702M2DTRPBF

aksione: 2830

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Për të demluar
IRF9362PBF
Infineon Technologies

IRF9362PBF

aksione: 2823

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA,

Për të demluar
IRF7316GTRPBF
Infineon Technologies

IRF7316GTRPBF

aksione: 2626

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
IRF7555TR
Infineon Technologies

IRF7555TR

aksione: 2893

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar
IRF5810
Infineon Technologies

IRF5810

aksione: 2637

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar
IRFH7911TR2PBF
Infineon Technologies

IRFH7911TR2PBF

aksione: 2817

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Për të demluar
FDC6036P_F077
ON Semiconductor

FDC6036P_F077

aksione: 2788

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
FDS6812A
ON Semiconductor

FDS6812A

aksione: 2711

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
FDG6302P
ON Semiconductor

FDG6302P

aksione: 2666

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 140mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 140mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
NTQD4154ZR2
ON Semiconductor

NTQD4154ZR2

aksione: 2660

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
NTTD1P02R2
ON Semiconductor

NTTD1P02R2

aksione: 2729

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.45A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 1.45A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

Për të demluar
NTJD4105CT2
ON Semiconductor

NTJD4105CT2

aksione: 2725

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, 8V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 630mA, 775mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
FW813-TL-H
ON Semiconductor

FW813-TL-H

aksione: 2907

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5A, 10V,

Për të demluar
MMDF1N05ER2
ON Semiconductor

MMDF1N05ER2

aksione: 2640

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 50V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
NTJD2152PT4G
ON Semiconductor

NTJD2152PT4G

aksione: 2775

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 8V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 775mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 570mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
NTLJD3119CTAG
ON Semiconductor

NTLJD3119CTAG

aksione: 2878

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.6A, 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
NTZD3152PT5G
ON Semiconductor

NTZD3152PT5G

aksione: 2734

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
QJD1210SA2
Powerex Inc.

QJD1210SA2

aksione: 2896

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V (1.2kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 15V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 34mA,

Për të demluar
DMC3036LSD-13
Diodes Incorporated

DMC3036LSD-13

aksione: 2792

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A, 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 6.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

Për të demluar
ZXMN3A04DN8TC
Diodes Incorporated

ZXMN3A04DN8TC

aksione: 2746

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 12.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Për të demluar
DMN32D2LV-7
Diodes Incorporated

DMN32D2LV-7

aksione: 141799

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 400mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 100mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar
ZVN4206NTC
Diodes Incorporated

ZVN4206NTC

aksione: 2706

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V,

Për të demluar
SI5975DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5975DC-T1-E3

aksione: 2864

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3.1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 1mA (Min),

Për të demluar
SI6973DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6973DQ-T1-E3

aksione: 2882

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Për të demluar
SI1988DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1988DH-T1-GE3

aksione: 2796

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 168 mOhm @ 1.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
SIZ900DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ900DT-T1-GE3

aksione: 87000

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 24A, 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 19.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Për të demluar
SI7958DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7958DP-T1-E3

aksione: 3297

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5 mOhm @ 11.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
SI4816DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4816DY-T1-GE3

aksione: 2804

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.3A, 7.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Për të demluar
EPC2103ENG
EPC

EPC2103ENG

aksione: 2868

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: GaNFET (Gallium Nitride), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

Për të demluar
STL60N32N3LL
STMicroelectronics

STL60N32N3LL

aksione: 2652

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A, 60A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2 mOhm @ 6.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1µA,

Për të demluar
SP8K5FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8K5FU6TB

aksione: 180120

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Për të demluar