Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorë - FET, MOSFET - Vargje

FD6M033N06
ON Semiconductor

FD6M033N06

aksione: 2812

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 73A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Për të demluar
FDS6912
ON Semiconductor

FDS6912

aksione: 99723

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
FDM2509NZ
ON Semiconductor

FDM2509NZ

aksione: 2731

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
NTUD3127CT5G
ON Semiconductor

NTUD3127CT5G

aksione: 2739

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 160mA, 140mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
FDY2001PZ
ON Semiconductor

FDY2001PZ

aksione: 2782

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 150mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
NTJD4401NT2G
ON Semiconductor

NTJD4401NT2G

aksione: 2745

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 630mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 630mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
FDC6000NZ
ON Semiconductor

FDC6000NZ

aksione: 2733

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
NTLJD4150PTBG
ON Semiconductor

NTLJD4150PTBG

aksione: 2781

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Për të demluar
FDG6322C_D87Z
ON Semiconductor

FDG6322C_D87Z

aksione: 2704

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 220mA, 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
NTL4502NT1
ON Semiconductor

NTL4502NT1

aksione: 2702

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 24V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

Për të demluar
ECH8601M-C-TL-H
ON Semiconductor

ECH8601M-C-TL-H

aksione: 2940

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 24V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 4A, 4.5V,

Për të demluar
NTJD4152PT1
ON Semiconductor

NTJD4152PT1

aksione: 2693

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 880mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260 mOhm @ 880mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar
NDS9936
ON Semiconductor

NDS9936

aksione: 2706

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
EFC6601R-A-TR
ON Semiconductor

EFC6601R-A-TR

aksione: 185411

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

Për të demluar
NDS9959
ON Semiconductor

NDS9959

aksione: 2628

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 50V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Për të demluar
IRF7325
Infineon Technologies

IRF7325

aksione: 2634

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Për të demluar
IRF7379PBF
Infineon Technologies

IRF7379PBF

aksione: 2664

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
IRF7754
Infineon Technologies

IRF7754

aksione: 2962

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Për të demluar
IRF8513PBF
Infineon Technologies

IRF8513PBF

aksione: 2834

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A, 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Për të demluar
IRF7338TRPBF
Infineon Technologies

IRF7338TRPBF

aksione: 2782

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.3A, 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
IRF7750TR
Infineon Technologies

IRF7750TR

aksione: 2689

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar
IRF8313PBF
Infineon Technologies

IRF8313PBF

aksione: 2835

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 9.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA,

Për të demluar
IRF7379QTRPBF
Infineon Technologies

IRF7379QTRPBF

aksione: 2818

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.8A, 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
IRF7101PBF
Infineon Technologies

IRF7101PBF

aksione: 2712

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 1.8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
SI4906DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4906DY-T1-GE3

aksione: 2837

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Për të demluar
SI7842DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7842DP-T1-GE3

aksione: 2811

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,

Për të demluar
SI7218DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7218DN-T1-GE3

aksione: 99158

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 24A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
SMMA511DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SMMA511DJ-T1-GE3

aksione: 2895

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar
SI6924AEDQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6924AEDQ-T1-GE3

aksione: 2794

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 28V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 4.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
SI4952DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4952DY-T1-GE3

aksione: 3339

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

Për të demluar
SI3850ADV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3850ADV-T1-GE3

aksione: 2805

Lloji FET: N and P-Channel, Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.4A, 960mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar
SI4388DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4388DY-T1-E3

aksione: 2702

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10.7A, 11.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar
SI6983DQ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI6983DQ-T1-GE3

aksione: 2899

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 400µA,

Për të demluar
SI5905DC-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5905DC-T1-GE3

aksione: 2839

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 8V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

Për të demluar
IXTL2X200N085T
IXYS

IXTL2X200N085T

aksione: 2753

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 85V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 112A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Për të demluar
SP8K1FU6TB
Rohm Semiconductor

SP8K1FU6TB

aksione: 152435

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

Për të demluar