Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

10TQ035STRR

aksione: 171

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 570mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035STRL

aksione: 82

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 570mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRL

aksione: 173

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 10A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS12STRR

aksione: 98

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 10A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRL

aksione: 157

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 10A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETS08STRR

aksione: 94

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 10A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRR

aksione: 76

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.33V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 310ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10STRL

aksione: 99

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.33V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 310ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10S

aksione: 161

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.33V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 310ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF10FP

aksione: 131

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.33V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 310ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06STRL

aksione: 5088

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 145ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF06FP

aksione: 145

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 145ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF04FP

aksione: 152

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 145ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02STRL

aksione: 153

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 145ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10ETF02FP

aksione: 112

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 145ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

18TQ040

aksione: 160

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 18A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 18A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ035

aksione: 71

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 760mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

10TQ040

aksione: 130

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 760mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ100R

aksione: 112

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

183NQ080

aksione: 135

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

182NQ030

aksione: 74

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 510mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045

aksione: 104

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 660mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ045R

aksione: 95

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 660mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

181NQ035

aksione: 137

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 660mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045

aksione: 156

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ045R

aksione: 137

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

180NQ035

aksione: 5037

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 180A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 180A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ100R

aksione: 91

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 910mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

123NQ080

aksione: 5020

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 910mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

122NQ030R

aksione: 69

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045R

aksione: 130

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ040

aksione: 5051

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ045

aksione: 135

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

121NQ035

aksione: 74

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

120NQ045R

aksione: 120

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 570mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Microsemi Corporation

1N6631US

aksione: 4317

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.4A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1.4A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 60ns,

Për të demluar