Diodat - Ndreqësit - Një | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

8ETU04

aksione: 150

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 60ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100STRL

aksione: 128

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRR

aksione: 5547

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080STRL

aksione: 144

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10STRL

aksione: 184

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS12STRL

aksione: 175

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS10S

aksione: 175

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STRL

aksione: 126

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08STR

aksione: 197

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10STRL

aksione: 5071

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 270ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12STR

aksione: 126

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 270ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STR

aksione: 142

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRR

aksione: 182

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRR

aksione: 133

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04STRL

aksione: 164

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STR

aksione: 174

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02STRL

aksione: 100

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF4NPP

aksione: 131

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF1RPP

aksione: 115

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05RPP

aksione: 5075

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

aksione: 119

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 50A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

aksione: 112

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.17V @ 80A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

aksione: 133

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.17V @ 80A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

aksione: 126

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.35V @ 80A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 480ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

aksione: 66

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.35V @ 80A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 480ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

aksione: 72

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 80A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 190ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

aksione: 115

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 80A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 190ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

aksione: 115

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 80A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 190ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

aksione: 68

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 270ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

aksione: 20

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 270ns,

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

aksione: 10015

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

aksione: 9992

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

aksione: 10041

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

aksione: 5059

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

aksione: 10060

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

aksione: 10034

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 140ns,

Për të demluar