Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

IKP40N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKP40N65H5XKSA1

aksione: 21487

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 74A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 255W,

Për të demluar
IGW75N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW75N60H3FKSA1

aksione: 347

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 140A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 225A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 428W,

Për të demluar
IKW50N65EH5XKSA1
Infineon Technologies

IKW50N65EH5XKSA1

aksione: 13357

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 275W,

Për të demluar
IRG4PC50SPBF
Infineon Technologies

IRG4PC50SPBF

aksione: 11887

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 140A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.36V @ 15V, 41A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
IRG4PSH71UDPBF
Infineon Technologies

IRG4PSH71UDPBF

aksione: 4434

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 99A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 350W,

Për të demluar
IKY40N120CS6XKSA1
Infineon Technologies

IKY40N120CS6XKSA1

aksione: 1487

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 500W,

Për të demluar
IHW40N60RFKSA1
Infineon Technologies

IHW40N60RFKSA1

aksione: 517

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 305W,

Për të demluar
IKW30N65H5XKSA1
Infineon Technologies

IKW30N65H5XKSA1

aksione: 21153

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 55A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 188W,

Për të demluar
IKA15N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKA15N65F5XKSA1

aksione: 29092

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 14A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 33.3W,

Për të demluar
IGW30N60TPXKSA1
Infineon Technologies

IGW30N60TPXKSA1

aksione: 23334

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 53A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
IGB50N65S5ATMA1
Infineon Technologies

IGB50N65S5ATMA1

aksione: 48121

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 270W,

Për të demluar
IRGP4066DPBF
Infineon Technologies

IRGP4066DPBF

aksione: 6386

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 140A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 225A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 454W,

Për të demluar
IKFW40N60DH3EXKSA1
Infineon Technologies

IKFW40N60DH3EXKSA1

aksione: 1427

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 34A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 111W,

Për të demluar
IKY75N120CH3XKSA1
Infineon Technologies

IKY75N120CH3XKSA1

aksione: 5600

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 938W,

Për të demluar
IKB10N60TATMA1
Infineon Technologies

IKB10N60TATMA1

aksione: 70092

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 30A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A, Fuqia - Maks: 110W,

Për të demluar
IXBT20N300HV
IXYS

IXBT20N300HV

aksione: 1842

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 3000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 140A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar
IXYH30N65C3
IXYS

IXYH30N65C3

aksione: 22795

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 118A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 270W,

Për të demluar
IXGF32N170
IXYS

IXGF32N170

aksione: 4033

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 44A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.5V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
IXYH12N250C
IXYS

IXYH12N250C

aksione: 5169

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 28A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 4.5V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 310W,

Për të demluar
IXXH60N65B4
IXYS

IXXH60N65B4

aksione: 12915

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 116A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 250A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 455W,

Për të demluar
IXGH56N60A3
IXYS

IXGH56N60A3

aksione: 12369

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 370A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 44A, Fuqia - Maks: 330W,

Për të demluar
IXGH28N60A3
IXYS

IXGH28N60A3

aksione: 249

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 170A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A, Fuqia - Maks: 190W,

Për të demluar
IXYH80N90C3
IXYS

IXYH80N90C3

aksione: 9634

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 165A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 360A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A, Fuqia - Maks: 830W,

Për të demluar
FGH40N65UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N65UFDTU

aksione: 29738

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Për të demluar
FGA30T65SHD
ON Semiconductor

FGA30T65SHD

aksione: 27345

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 238W,

Për të demluar
HGTG30N60B3
ON Semiconductor

HGTG30N60B3

aksione: 20902

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 220A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 208W,

Për të demluar
FGH40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFDTU

aksione: 22929

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Për të demluar
HGTG40N60B3
ON Semiconductor

HGTG40N60B3

aksione: 8155

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 330A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Për të demluar
NGTG35N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTG35N65FL2WG

aksione: 23259

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
FGH40N60SFDTU
ON Semiconductor

FGH40N60SFDTU

aksione: 23931

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Për të demluar
HGTG11N120CND
ON Semiconductor

HGTG11N120CND

aksione: 21846

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 43A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 11A, Fuqia - Maks: 298W,

Për të demluar
STGWT20H60DF
STMicroelectronics

STGWT20H60DF

aksione: 22167

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 167W,

Për të demluar
STGWA8M120DF3
STMicroelectronics

STGWA8M120DF3

aksione: 279

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 16A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 32A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 8A, Fuqia - Maks: 167W,

Për të demluar
STGWA60NC60WDR
STMicroelectronics

STGWA60NC60WDR

aksione: 8845

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 130A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 250A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 340W,

Për të demluar
RGTV60TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65DGC11

aksione: 2739

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 194W,

Për të demluar
SLA5222
Sanken

SLA5222

aksione: 7982

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A,

Për të demluar