Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

2SC3328-Y,HOF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC3328-Y,HOF(M

aksione: 6392

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Për të demluar
2SC2655-Y,WNLF(J
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-Y,WNLF(J

aksione: 6324

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Për të demluar
2SC2383-Y(T6DNS,FM
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2383-Y(T6DNS,FM

aksione: 6336

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 200mA, 5V,

Për të demluar
2SC2235-Y,USNHF(M
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2235-Y,USNHF(M

aksione: 6349

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SC2655-O(ND1,AF)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2655-O(ND1,AF)

aksione: 6343

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Për të demluar
2N3417
Central Semiconductor Corp

2N3417

aksione: 12201

Lloji i tranzitorit: NPN, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Për të demluar
2SD1012G-SPA
ON Semiconductor

2SD1012G-SPA

aksione: 6385

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 80mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 280 @ 50mA, 2V,

Për të demluar
2N5089BU
ON Semiconductor

2N5089BU

aksione: 6387

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2SC4617T1
ON Semiconductor

2SC4617T1

aksione: 6254

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar
2SC4617
ON Semiconductor

2SC4617

aksione: 6319

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 60mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar
2SA1162YT1
ON Semiconductor

2SA1162YT1

aksione: 6263

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Për të demluar
2SA1020G
ON Semiconductor

2SA1020G

aksione: 6332

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Për të demluar
2SA1162GT1
ON Semiconductor

2SA1162GT1

aksione: 6328

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Për të demluar
2SA1020
ON Semiconductor

2SA1020

aksione: 6332

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 2V,

Për të demluar
2N6517RLRPG
ON Semiconductor

2N6517RLRPG

aksione: 6333

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6517RLRP
ON Semiconductor

2N6517RLRP

aksione: 6257

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6517RLRAG
ON Semiconductor

2N6517RLRAG

aksione: 6283

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6517RLRA
ON Semiconductor

2N6517RLRA

aksione: 6301

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6515RLRM
ON Semiconductor

2N6515RLRM

aksione: 6248

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6515RLRMG
ON Semiconductor

2N6515RLRMG

aksione: 6343

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6515
ON Semiconductor

2N6515

aksione: 6285

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 45 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6490
ON Semiconductor

2N6490

aksione: 6306

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

Për të demluar
2N6427RLRAG
ON Semiconductor

2N6427RLRAG

aksione: 6322

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N6427RLRA
ON Semiconductor

2N6427RLRA

aksione: 6293

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N6387
ON Semiconductor

2N6387

aksione: 6695

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V,

Për të demluar
2N6426RLRA
ON Semiconductor

2N6426RLRA

aksione: 6292

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N6288
ON Semiconductor

2N6288

aksione: 6321

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 7A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 3A, 4V,

Për të demluar
2N6341
ON Semiconductor

2N6341

aksione: 6335

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V,

Për të demluar
2N5551ZL1
ON Semiconductor

2N5551ZL1

aksione: 6676

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5551ZL1G
ON Semiconductor

2N5551ZL1G

aksione: 6264

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5551RLRP
ON Semiconductor

2N5551RLRP

aksione: 6288

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2SA1619ARA
Panasonic Electronic Components

2SA1619ARA

aksione: 6389

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2SD2528
Panasonic Electronic Components

2SD2528

aksione: 6332

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 1A, 4V,

Për të demluar
2SD21840RA
Panasonic Electronic Components

2SD21840RA

aksione: 6309

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SA1667
Sanken

2SA1667

aksione: 46408

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V,

Për të demluar
2ST31A
STMicroelectronics

2ST31A

aksione: 74793

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 20mA, 4V,

Për të demluar