Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

2SA1668
Sanken

2SA1668

aksione: 45281

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 200V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 70mA, 700mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 700mA, 10V,

Për të demluar
2SD2016
Sanken

2SD2016

aksione: 44421

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 200V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 4V,

Për të demluar
2SC3835
Sanken

2SC3835

aksione: 25637

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 7A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

Për të demluar
2SA1488
Sanken

2SA1488

aksione: 44401

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V,

Për të demluar
2SC4153
Sanken

2SC4153

aksione: 39453

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 7A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

Për të demluar
2SC4546
Sanken

2SC4546

aksione: 34133

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 7A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 600mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V,

Për të demluar
2N3905
Central Semiconductor Corp

2N3905

aksione: 128544

Lloji i tranzitorit: PNP, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N6034G
ON Semiconductor

2N6034G

aksione: 100402

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Për të demluar
2N7053
ON Semiconductor

2N7053

aksione: 5830

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 200nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

Për të demluar
2N5962_D74Z
ON Semiconductor

2N5962_D74Z

aksione: 5829

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 2nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5550_J24Z
ON Semiconductor

2N5550_J24Z

aksione: 5822

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5401_S00Z
ON Semiconductor

2N5401_S00Z

aksione: 5813

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5401_J61Z
ON Semiconductor

2N5401_J61Z

aksione: 5816

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5400_S00Z
ON Semiconductor

2N5400_S00Z

aksione: 6652

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5400_D81Z
ON Semiconductor

2N5400_D81Z

aksione: 6622

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5400_D26Z
ON Semiconductor

2N5400_D26Z

aksione: 5768

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5210_S00Z
ON Semiconductor

2N5210_S00Z

aksione: 5865

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5210_D81Z
ON Semiconductor

2N5210_D81Z

aksione: 5804

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N6426_D74Z
ON Semiconductor

2N6426_D74Z

aksione: 5776

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 500mA, 5V,

Për të demluar
2N7051_D10Z
ON Semiconductor

2N7051_D10Z

aksione: 5846

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 200nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V,

Për të demluar
2N6076_D75Z
ON Semiconductor

2N6076_D75Z

aksione: 5835

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N6076_D27Z
ON Semiconductor

2N6076_D27Z

aksione: 5837

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N6076_D26Z
ON Semiconductor

2N6076_D26Z

aksione: 6667

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N5772_D75Z
ON Semiconductor

2N5772_D75Z

aksione: 5757

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Për të demluar
2N5308_D27Z
ON Semiconductor

2N5308_D27Z

aksione: 5795

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
2N5772_D26Z
ON Semiconductor

2N5772_D26Z

aksione: 6637

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Për të demluar
2N4410_D75Z
ON Semiconductor

2N4410_D75Z

aksione: 5836

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N5172_D75Z
ON Semiconductor

2N5172_D75Z

aksione: 5805

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V,

Për të demluar
2N4410_D74Z
ON Semiconductor

2N4410_D74Z

aksione: 5805

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N4410_D27Z
ON Semiconductor

2N4410_D27Z

aksione: 6668

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N4402_J14Z
ON Semiconductor

2N4402_J14Z

aksione: 6610

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
2N4402_S00Z
ON Semiconductor

2N4402_S00Z

aksione: 5789

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
2N4402_D81Z
ON Semiconductor

2N4402_D81Z

aksione: 5772

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
2N3703
ON Semiconductor

2N3703

aksione: 5781

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V,

Për të demluar
2N3702_D27Z
ON Semiconductor

2N3702_D27Z

aksione: 5841

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Për të demluar
2N3415_D75Z
ON Semiconductor

2N3415_D75Z

aksione: 5760

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Për të demluar