Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

2SB0709A0L
Panasonic Electronic Components

2SB0709A0L

aksione: 5437

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V,

Për të demluar
2SB143400A
Panasonic Electronic Components

2SB143400A

aksione: 5433

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 200mA, 2V,

Për të demluar
2SB1321A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1321A0A

aksione: 5460

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 10mA, 10V,

Për të demluar
2SB1322A0A
Panasonic Electronic Components

2SB1322A0A

aksione: 5467

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 10V,

Për të demluar
2SB1219ASL
Panasonic Electronic Components

2SB1219ASL

aksione: 5490

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 170 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2N6724
ON Semiconductor

2N6724

aksione: 5450

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

Për të demluar
2N6726
ON Semiconductor

2N6726

aksione: 5395

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V,

Për të demluar
2N6714
ON Semiconductor

2N6714

aksione: 6579

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V,

Për të demluar
2N3014
ON Semiconductor

2N3014

aksione: 5441

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Për të demluar
2N3108
ON Semiconductor

2N3108

aksione: 5384

Lloji i tranzitorit: NPN, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA,1V,

Për të demluar
2N2906A
ON Semiconductor

2N2906A

aksione: 71797

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2N2369
ON Semiconductor

2N2369

aksione: 5393

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N2221A
ON Semiconductor

2N2221A

aksione: 71785

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2N5961
ON Semiconductor

2N5961

aksione: 5420

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 2nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5830
ON Semiconductor

2N5830

aksione: 5439

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5771
ON Semiconductor

2N5771

aksione: 5732

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 300mV,

Për të demluar
2N5772
ON Semiconductor

2N5772

aksione: 5387

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 3mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 30mA, 400mV,

Për të demluar
2N5682
ON Semiconductor

2N5682

aksione: 5471

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V,

Për të demluar
2N5550BU
ON Semiconductor

2N5550BU

aksione: 6606

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5401BU
ON Semiconductor

2N5401BU

aksione: 5419

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5323
ON Semiconductor

2N5323

aksione: 5454

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 4V,

Për të demluar
2N5226
ON Semiconductor

2N5226

aksione: 5437

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 10mA, 100mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N5224
ON Semiconductor

2N5224

aksione: 5407

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 3mA, 10mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N5088BU
ON Semiconductor

2N5088BU

aksione: 179781

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N4402BU
ON Semiconductor

2N4402BU

aksione: 5460

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
2N4400BU
ON Semiconductor

2N4400BU

aksione: 5455

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N4125BU
ON Semiconductor

2N4125BU

aksione: 5391

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

Për të demluar
2N4208
ON Semiconductor

2N4208

aksione: 5405

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 130mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

Për të demluar
2N3962
ON Semiconductor

2N3962

aksione: 5405

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Për të demluar
2N4123BU
ON Semiconductor

2N4123BU

aksione: 5451

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

Për të demluar
2N3905BU
ON Semiconductor

2N3905BU

aksione: 5413

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N6727
ON Semiconductor

2N6727

aksione: 5472

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

Për të demluar
2N6719
ON Semiconductor

2N6719

aksione: 6614

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V,

Për të demluar
2N6725
ON Semiconductor

2N6725

aksione: 5448

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 4000 @ 1A, 5V,

Për të demluar
2N6715
ON Semiconductor

2N6715

aksione: 5467

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 1V,

Për të demluar
2N3904PH
Vishay Semiconductor Diodes Division

2N3904PH

aksione: 5410

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar