Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

2STW1695
STMicroelectronics

2STW1695

aksione: 5247

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 700mA, 7A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V,

Për të demluar
2STL1360
STMicroelectronics

2STL1360

aksione: 5242

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 150mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 1A, 2V,

Për të demluar
2N5401
ON Semiconductor

2N5401

aksione: 5177

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N6487
ON Semiconductor

2N6487

aksione: 5242

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 5A, 15A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 4V,

Për të demluar
2N6426RLRAG
ON Semiconductor

2N6426RLRAG

aksione: 5224

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N5401ZL1
ON Semiconductor

2N5401ZL1

aksione: 5166

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5401RL1G
ON Semiconductor

2N5401RL1G

aksione: 5191

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N4123RLRM
ON Semiconductor

2N4123RLRM

aksione: 5179

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 2mA, 1V,

Për të demluar
2N4401G
ON Semiconductor

2N4401G

aksione: 5198

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N4403RLRMG
ON Semiconductor

2N4403RLRMG

aksione: 5243

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
2N3904_D27ZS00Z
ON Semiconductor

2N3904_D27ZS00Z

aksione: 5217

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N5400_D27Z
ON Semiconductor

2N5400_D27Z

aksione: 5200

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5962_D26Z
ON Semiconductor

2N5962_D26Z

aksione: 5201

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 2nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 600 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5830_D26Z
ON Semiconductor

2N5830_D26Z

aksione: 5187

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N3702_D75Z
ON Semiconductor

2N3702_D75Z

aksione: 5144

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Për të demluar
2N3905_D29Z
ON Semiconductor

2N3905_D29Z

aksione: 5199

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N5087_S00Z
ON Semiconductor

2N5087_S00Z

aksione: 5135

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5307_D74Z
ON Semiconductor

2N5307_D74Z

aksione: 5183

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
2N5086TA
ON Semiconductor

2N5086TA

aksione: 5153

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5551_J05Z
ON Semiconductor

2N5551_J05Z

aksione: 6572

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N6428ATA
ON Semiconductor

2N6428ATA

aksione: 5150

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 25nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5401TAR
ON Semiconductor

2N5401TAR

aksione: 6516

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5308_D26Z
ON Semiconductor

2N5308_D26Z

aksione: 5133

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 7000 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
2N4401_J60Z
ON Semiconductor

2N4401_J60Z

aksione: 5201

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N5307
ON Semiconductor

2N5307

aksione: 6584

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 200µA, 200mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
2N5088TFR
ON Semiconductor

2N5088TFR

aksione: 5196

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N4400TAR
ON Semiconductor

2N4400TAR

aksione: 5161

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N4400_S00Z
ON Semiconductor

2N4400_S00Z

aksione: 6586

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N3417_D26Z
ON Semiconductor

2N3417_D26Z

aksione: 5203

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 4.5V,

Për të demluar
2N3416_D29Z
ON Semiconductor

2N3416_D29Z

aksione: 5205

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 2mA, 4.5V,

Për të demluar
2N5087TFR
ON Semiconductor

2N5087TFR

aksione: 6534

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5089TA
ON Semiconductor

2N5089TA

aksione: 6523

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N6519TA
ON Semiconductor

2N6519TA

aksione: 5180

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2SD1758TLR
Rohm Semiconductor

2SD1758TLR

aksione: 133782

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

Për të demluar
2SA1812T100Q
Rohm Semiconductor

2SA1812T100Q

aksione: 5202

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

Për të demluar
2SC1740STPQ
Rohm Semiconductor

2SC1740STPQ

aksione: 5224

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar