Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

2SC4132T100R

aksione: 150162

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD1767T100Q

aksione: 132405

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR552PT100

aksione: 138513

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR552PT100

aksione: 173518

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR554PT100

aksione: 136691

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SA1900T100Q

aksione: 168983

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD2098T100S

aksione: 108299

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SB1386T100R

aksione: 159455

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD2673TL

aksione: 120916

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR544RTL

aksione: 162180

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD2671TL

aksione: 141253

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD1766T100Q

aksione: 145111

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SB1188T100P

aksione: 139697

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD1766T100P

aksione: 182685

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 500mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD1766T100R

aksione: 133549

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SB1189T100R

aksione: 150356

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SB1189T100Q

aksione: 192447

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR533PT100

aksione: 168312

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR514PT100

aksione: 148000

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 15mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR553PT100

aksione: 186717

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR543RTL

aksione: 120558

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR554RTL

aksione: 105835

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR554RTL

aksione: 186724

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR543RTL

aksione: 192842

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD2653TL

aksione: 196136

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR513PT100

aksione: 185754

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR514PT100

aksione: 141099

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD2150T100S

aksione: 164844

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD2150T100R

aksione: 120148

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SD2670TL

aksione: 117931

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SB1706TL

aksione: 190846

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR512PT100

aksione: 183522

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 35mA, 700mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SB1424T100Q

aksione: 197857

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SAR293PT100

aksione: 146543

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR293PT100

aksione: 100388

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

2SCR514RTL

aksione: 164571

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 15mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar