Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

ON Semiconductor

NTD4856N-1G

aksione: 494

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13.3A (Ta), 89A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTMSD2P102R2SG

aksione: 6075

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTJS4405NT1

aksione: 310

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD32N06L

aksione: 312

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

FQB9N50CFTM_WS

aksione: 6118

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850 mOhm @ 4.5A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDD8444-F085

aksione: 593

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 145A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD50N03R-35G

aksione: 338

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.8A (Ta), 45A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4854NT4G

aksione: 474

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15.7A (Ta), 128A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDMS8660AS

aksione: 436

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 28A (Ta), 49A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 28A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4806N-35G

aksione: 515

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTF3055L175T3G

aksione: 349

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175 mOhm @ 1A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD78N03-35G

aksione: 376

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11.4A (Ta), 78A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDFS2P753AZ

aksione: 436

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 3A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD65N03RT4G

aksione: 287

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4815NT4G

aksione: 352

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.9A (Ta), 35A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTMFS4839NHT3G

aksione: 532

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 64A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD6600N-1G

aksione: 496

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 146 mOhm @ 6A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4813NT4G

aksione: 340

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.6A (Ta), 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDPF52N20T

aksione: 461

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 52A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 26A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDD6796

aksione: 552

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDD6N25TF

aksione: 325

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 2.2A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4809NA-35G

aksione: 505

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.6A (Ta), 58A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 11.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD65N03RT4

aksione: 352

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), 32A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDMC8676

aksione: 452

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16A (Ta), 18A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9 mOhm @ 14.7A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

FDMS8672AS

aksione: 517

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), 28A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 18A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD4854N-35G

aksione: 506

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15.7A (Ta), 128A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

HUF75939P3

aksione: 10021

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 22A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD20N06LG

aksione: 317

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 10A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

FDU7N60NZTU

aksione: 130059

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25 Ohm @ 2.75A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTB18N06LG

aksione: 317

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 7.5A, 5V,

Listoj

ON Semiconductor

HUF75344S3ST

aksione: 10082

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTD18N06-1G

aksione: 288

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 9A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTA4153NT1

aksione: 321

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 915mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230 mOhm @ 600mA, 4.5V,

Listoj

ON Semiconductor

FQA16N25C

aksione: 6062

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 250V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 17.8A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270 mOhm @ 8.9A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

NTB125N02R

aksione: 333

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 24V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 95A (Ta), 120.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

ON Semiconductor

HUFA76645S3S

aksione: 92

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 75A, 10V,

Listoj

3600

«
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
»