Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar
BCV26
ON Semiconductor

BCV26

aksione: 161456

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Listoj
BCV72
ON Semiconductor

BCV72

aksione: 155453

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC846CMTF
ON Semiconductor

BC846CMTF

aksione: 130903

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BCV71
ON Semiconductor

BCV71

aksione: 122658

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Listoj
BUB323ZT4G
ON Semiconductor

BUB323ZT4G

aksione: 51058

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Listoj
BD13516STU
ON Semiconductor

BD13516STU

aksione: 164732

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC847BWT1G
ON Semiconductor

BC847BWT1G

aksione: 137675

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BDX53CG
ON Semiconductor

BDX53CG

aksione: 80519

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Listoj
BSS64
ON Semiconductor

BSS64

aksione: 138380

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 15mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 1V,

Listoj
BSP50
ON Semiconductor

BSP50

aksione: 183411

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

Listoj
BCX70K
ON Semiconductor

BCX70K

aksione: 151915

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

Listoj
BD138G
ON Semiconductor

BD138G

aksione: 120144

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BD675AS
ON Semiconductor

BD675AS

aksione: 120104

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Listoj
BD239ATU
ON Semiconductor

BD239ATU

aksione: 113926

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 200mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 4V,

Listoj
BDV64BG
ON Semiconductor

BDV64BG

aksione: 40993

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Listoj
BD244CTU
ON Semiconductor

BD244CTU

aksione: 194160

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 6A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 700µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Listoj
BD438STU
ON Semiconductor

BD438STU

aksione: 110953

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj
BUV21G
ON Semiconductor

BUV21G

aksione: 7135

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 200V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3A, 25A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 3mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 12A, 2V,

Listoj
BUV22G
ON Semiconductor

BUV22G

aksione: 6634

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.5A, 20A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 3mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10A, 4V,

Listoj
BD680ASTU
ON Semiconductor

BD680ASTU

aksione: 109313

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Listoj
BUB323ZG
ON Semiconductor

BUB323ZG

aksione: 45503

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Listoj
BD241CG
ON Semiconductor

BD241CG

aksione: 147452

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Listoj
BD439S
ON Semiconductor

BD439S

aksione: 111006

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V,

Listoj
BDV65BG
ON Semiconductor

BDV65BG

aksione: 41181

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 20mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Listoj
BD679G
ON Semiconductor

BD679G

aksione: 114507

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Listoj
BDW93CTU
ON Semiconductor

BDW93CTU

aksione: 150953

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 12A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

Listoj
BD238STU
ON Semiconductor

BD238STU

aksione: 135665

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V,

Listoj
BD140G
ON Semiconductor

BD140G

aksione: 128515

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BD437S
ON Semiconductor

BD437S

aksione: 116323

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj
BDX54CG
ON Semiconductor

BDX54CG

aksione: 75542

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Listoj
BD13616S
ON Semiconductor

BD13616S

aksione: 149453

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BD241CTU
ON Semiconductor

BD241CTU

aksione: 109334

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Listoj
BD810G
ON Semiconductor

BD810G

aksione: 156462

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Listoj
BD244BG
ON Semiconductor

BD244BG

aksione: 162870

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 6A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 700µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Listoj
BDX33CG
ON Semiconductor

BDX33CG

aksione: 75516

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Listoj
BUL45D2G
ON Semiconductor

BUL45D2G

aksione: 65990

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 400mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 1V,

Listoj