Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar
BC337RL1G
ON Semiconductor

BC337RL1G

aksione: 6696

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC337-40ZL1G
ON Semiconductor

BC337-40ZL1G

aksione: 6684

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC337-25ZL1G
ON Semiconductor

BC337-25ZL1G

aksione: 6655

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC327-25ZL1G
ON Semiconductor

BC327-25ZL1G

aksione: 6604

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Listoj
BD441G
ON Semiconductor

BD441G

aksione: 112735

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

Listoj
BC548BRL1G
ON Semiconductor

BC548BRL1G

aksione: 6621

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC557BRL1G
ON Semiconductor

BC557BRL1G

aksione: 6672

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC546BRL1G
ON Semiconductor

BC546BRL1G

aksione: 6681

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC517RL1G
ON Semiconductor

BC517RL1G

aksione: 6590

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 20mA, 2V,

Listoj
BC337-40RL1G
ON Semiconductor

BC337-40RL1G

aksione: 6664

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC337-25RL1G
ON Semiconductor

BC337-25RL1G

aksione: 6621

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC307BRL1G
ON Semiconductor

BC307BRL1G

aksione: 6652

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC327-25RL1G
ON Semiconductor

BC327-25RL1G

aksione: 6666

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC237BRL1G
ON Semiconductor

BC237BRL1G

aksione: 6672

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC327-40ZL1G
ON Semiconductor

BC327-40ZL1G

aksione: 6603

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Listoj
BC557CZL1G
ON Semiconductor

BC557CZL1G

aksione: 6613

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC547B_J35Z
ON Semiconductor

BC547B_J35Z

aksione: 6626

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC637RL1G
ON Semiconductor

BC637RL1G

aksione: 6603

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BD14016S
ON Semiconductor

BD14016S

aksione: 149459

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BD13916S
ON Semiconductor

BD13916S

aksione: 149534

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BCX71JLT1G
ON Semiconductor

BCX71JLT1G

aksione: 6614

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 2mA, 5V,

Listoj
BC639ZL1G
ON Semiconductor

BC639ZL1G

aksione: 6639

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC639RL1G
ON Semiconductor

BC639RL1G

aksione: 6579

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC639-16ZL1G
ON Semiconductor

BC639-16ZL1G

aksione: 6620

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BCX799_J35Z
ON Semiconductor

BCX799_J35Z

aksione: 6668

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 1V,

Listoj
BCX599_J35Z
ON Semiconductor

BCX599_J35Z

aksione: 6631

Lloji i tranzitorit: NPN,

Listoj
BCX599_D74Z
ON Semiconductor

BCX599_D74Z

aksione: 6556

Lloji i tranzitorit: NPN,

Listoj
BCX599_D27Z
ON Semiconductor

BCX599_D27Z

aksione: 6566

Lloji i tranzitorit: NPN,

Listoj
BCX599_D26Z
ON Semiconductor

BCX599_D26Z

aksione: 6630

Lloji i tranzitorit: NPN,

Listoj
BC856BMTF
ON Semiconductor

BC856BMTF

aksione: 170201

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Listoj
BSR50_J35Z
ON Semiconductor

BSR50_J35Z

aksione: 6508

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 4mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

Listoj
BDW94CF
ON Semiconductor

BDW94CF

aksione: 6487

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 12A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 5A, 3V,

Listoj
BC640_J35Z
ON Semiconductor

BC640_J35Z

aksione: 6460

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC63916_J35Z
ON Semiconductor

BC63916_J35Z

aksione: 6467

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC639_J35Z
ON Semiconductor

BC639_J35Z

aksione: 6518

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj
BC637_J35Z
ON Semiconductor

BC637_J35Z

aksione: 6505

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Listoj