Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar, Para-An | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 6

RN1112(T5L,F,T)

aksione: 1924

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106,LF(CT

aksione: 126227

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101CT(TPL3)

aksione: 1912

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2315TE85LF

aksione: 100188

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112ACT(TPL3)

aksione: 1954

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101ACT(TPL3)

aksione: 1987

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1105CT(TPL3)

aksione: 1976

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2105CT(TPL3)

aksione: 1970

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111CT(TPL3)

aksione: 1984

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109ACT(TPL3)

aksione: 2177

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1103ACT(TPL3)

aksione: 1902

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2404,LF

aksione: 9904

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1306,LF

aksione: 116634

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1444ATE85LF

aksione: 1960

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107ACT(TPL3)

aksione: 2029

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2110CT(TPL3)

aksione: 1997

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107MFV,L3F

aksione: 128621

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1107CT(TPL3)

aksione: 1985

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1109MFV,L3F

aksione: 1935

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1112CT(TPL3)

aksione: 1956

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113CT(TPL3)

aksione: 2014

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102,LF(CT

aksione: 176393

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1113(T5L,F,T)

aksione: 158736

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1308,LF

aksione: 147458

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106CT(TPL3)

aksione: 1999

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1106MFV(TL3,T)

aksione: 1905

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2117(T5L,F,T)

aksione: 1959

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2109CT(TPL3)

aksione: 1945

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

aksione: 159037

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2102CT(TPL3)

aksione: 1965

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2107CT(TPL3)

aksione: 1933

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2101CT(TPL3)

aksione: 3234

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1117(T5L,F,T)

aksione: 1981

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1305,LF

aksione: 184462

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2106ACT(TPL3)

aksione: 140630

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1101MFV,L3F

aksione: 164879

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj