Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet

Shtëpi
Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet

2SC4207-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-Y(TE85L,F)

aksione: 152609

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

2SC4944-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4944-Y(TE85L,F)

aksione: 98

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

2SA1618-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-Y(TE85L,F)

aksione: 124

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

2SA1873-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-Y(TE85L,F)

aksione: 114931

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

2SA1873-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1873-GR(TE85L,F

aksione: 137653

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

2SC4207-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-BL(TE85L,F

aksione: 153875

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Listoj

2SC4207-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4207-GR(TE85L,F

aksione: 9987

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

2SA1618-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1618-GR(TE85L,F

aksione: 115889

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-Y(L,F,T)

aksione: 4365

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FE-GR,LF

aksione: 167758

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN1C03FU-A(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

aksione: 115887

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A51JTE85LF

aksione: 179411

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN1A01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-GR(TE85L,F

aksione: 4432

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

ULN2004AFWG,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

aksione: 124168

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Listoj

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01F-Y(TE85L,F)

aksione: 104094

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN4B04J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B04J(TE85L,F)

aksione: 147055

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1A01FU-Y,LF

aksione: 104803

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

TPCP8901(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8901(TE85L,F,M

aksione: 104

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 170mV @ 6mA, 300mA / 200mV @ 10mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-GR,LF

aksione: 184759

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN1B01F-GR(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01F-GR(TE85L,F

aksione: 4437

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN4A06J(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A06J(TE85L,F)

aksione: 4500

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN2C01FE-GR(T5L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2C01FE-GR(T5L,F)

aksione: 4488

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-GR,LF

aksione: 184335

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN3A51F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3A51F(TE85L,F)

aksione: 4476

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003APG,CN

aksione: 4401

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Listoj

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

aksione: 6508

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

aksione: 151500

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V,

Listoj

ULN2803AFWG,C,EL

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803AFWG,C,EL

aksione: 4471

Lloji i tranzitorit: 8 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Listoj

HN1C03F-B(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03F-B(TE85L,F)

aksione: 9945

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C01FYTE85LF

aksione: 111105

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

HN1B04F(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04F(TE85L,F)

aksione: 4492

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V,

Listoj

ULN2003AFWG,O,N,E

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2003AFWG,O,N,E

aksione: 4430

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Listoj

HN4B01JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4B01JE(TE85L,F)

aksione: 76

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 10MA, 100MA,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2803APG,CN

aksione: 4464

Lloji i tranzitorit: 8 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Listoj

HN3C51F-BL(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C51F-BL(TE85L,F

aksione: 4503

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B04FU-Y,LF

aksione: 9904

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA / 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Listoj

58

«
1
2
»