Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para-

  • Shtëpi
  •  
  • Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para-
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

aksione: 138883

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

aksione: 1489

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

aksione: 1507

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

aksione: 1480

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

aksione: 181191

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

aksione: 1463

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

aksione: 1523

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1968(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968(TE85L,F)

aksione: 134854

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN4982,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4982,LF(CT

aksione: 158270

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN4606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4606(TE85L,F)

aksione: 9902

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1905(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905(T5L,F,T)

aksione: 1375

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1911FETE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911FETE85LF

aksione: 142375

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN4902FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4902FE(TE85L,F)

aksione: 1489

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1908(T5L,F,T)

aksione: 5402

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2502(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2502(TE85L,F)

aksione: 9911

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2910(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2910(T5L,F,T)

aksione: 1510

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN2706JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2706JE(TE85L,F)

aksione: 185153

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4986(T5L,F,T)

aksione: 1620

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1968FE(TE85L,F)

aksione: 3218

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2902FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE(T5L,F,T)

aksione: 1475

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1607(TE85L,F)

aksione: 116281

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2712JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2712JE(TE85L,F)

aksione: 178049

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN1906FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906FE(T5L,F,T)

aksione: 1636

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1905,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1905,LF

aksione: 1491

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1961FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961FE(TE85L,F)

aksione: 1446

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1910FE(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1910FE(T5L,F,T)

aksione: 1466

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN4905T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4905T5LFT

aksione: 3212

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN4904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904(T5L,F,T)

aksione: 1532

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1501(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1501(TE85L,F)

aksione: 179912

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2971(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971(TE85L,F)

aksione: 187083

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN4610(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4610(TE85L,F)

aksione: 196797

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN4990(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4990(T5L,F,T)

aksione: 196989

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1909(T5L,F,T)

aksione: 1368

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN1967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1967FE(TE85L,F)

aksione: 1500

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj
RN2713JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2713JE(TE85L,F)

aksione: 125460

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Listoj
RN2966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2966FE(TE85L,F)

aksione: 3147

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Listoj