Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

AUIRF3205ZS

aksione: 992

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 66A, 10V,

Për të demluar

Infineon Technologies

AUIRF2907ZS7PTL

aksione: 27918

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 75V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 180A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8 mOhm @ 110A, 10V,

Për të demluar

Infineon Technologies

AUIRF1324S

aksione: 1005

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 24V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 195A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.65 mOhm @ 195A, 10V,

Për të demluar

Infineon Technologies

AUIRF1405ZS

aksione: 985

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 150A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 75A, 10V,

Për të demluar

Infineon Technologies

AUIRF1010ZS

aksione: 1025

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 55V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 75A, 10V,

Për të demluar

Infineon Technologies

AUIRFS4310Z

aksione: 18630

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 75A, 10V,

Për të demluar

Infineon Technologies

AUIRF7669L2TR

aksione: 28787

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 19A (Ta), 114A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 68A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6404

aksione: 984

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A (Ta), 85A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7416

aksione: 6139

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7450

aksione: 104060

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.6A (Ta), 21A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48 mOhm @ 7.8A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7448

aksione: 973

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.1A (Ta), 24A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 10A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7444

aksione: 910

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 33A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 9A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6450

aksione: 929

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), 52A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6702

aksione: 981

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 26A (Ta), 85A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4182

aksione: 968

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), 53A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6400

aksione: 913

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Ta), 85A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD4180

aksione: 912

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), 54A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB440

aksione: 931

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4452

aksione: 985

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 8A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3460

aksione: 989

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 650mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 650mA, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4444

aksione: 927

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 80V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT12N60

aksione: 47567

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 6A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT416

aksione: 970

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.7A (Ta), 42A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 7V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT5N60

aksione: 6123

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 2.5A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT3N60

aksione: 932

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT2N60

aksione: 897

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 Ohm @ 1A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT3N50

aksione: 90461

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 1.5A, 10V,

Për të demluar

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT2618L

aksione: 70446

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), 23A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP602-TL-H

aksione: 910

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 Ohm @ 2.5A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP404-TL-H

aksione: 95209

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 95A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 48A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP213-TL-H

aksione: 5618

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 25A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP212-TL-H

aksione: 835

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 18A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP208-TL-H

aksione: 6131

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 45A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP204-TL-H

aksione: 911

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6 mOhm @ 50A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP206-TL-H

aksione: 838

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ATP203-TL-H

aksione: 837

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 38A, 10V,

Për të demluar