Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

APT7F80K

aksione: 366

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 4A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT8014JLL

aksione: 369

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 42A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 21A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT6M100K

aksione: 416

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 3A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT75M50B2

aksione: 5052

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 75A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 37A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT60M80JVR

aksione: 373

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 55A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 500mA, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT60M80L2VRG

aksione: 2032

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 65A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 32.5A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT60M75JVFR

aksione: 394

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 62A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 31A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT60M75L2LLG

aksione: 1781

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 73A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 36.5A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT5F100K

aksione: 412

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 Ohm @ 3A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT58M50J

aksione: 2293

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 42A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT55M65JFLL

aksione: 338

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 550V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 63A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 31.5A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT55M50JFLL

aksione: 379

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 550V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 77A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 38.5A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT5510JFLL

aksione: 6039

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 550V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 44A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 22A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT5016BFLLG

aksione: 6194

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 15A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT5018BLLG

aksione: 366

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 13.5A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT4M120K

aksione: 398

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 2A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT4F120K

aksione: 409

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 Ohm @ 2A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT45M100J

aksione: 1471

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 45A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 33A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT41M80L

aksione: 4379

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 43A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 20A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT40M70JVFR

aksione: 385

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 53A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 26.5A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT40M70LVFRG

aksione: 350

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 57A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT34F60BG

aksione: 5675

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 34A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 17A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT40M35JVFR

aksione: 357

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 400V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 93A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 46.5A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT32M80J

aksione: 2341

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 24A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT31N80JC3

aksione: 403

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 22A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT31M100B2

aksione: 4176

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 32A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 16A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT31N60BCSG

aksione: 325

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 31A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 18A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30M85SVFRG

aksione: 386

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 300V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30M85BVFRG

aksione: 318

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 300V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 500mA, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30M70SVRG

aksione: 372

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 300V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 48A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 500mA, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30M40B2VFRG

aksione: 318

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 300V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 500mA, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT29F100L

aksione: 3918

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 16A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT26F120L

aksione: 2571

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 27A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650 mOhm @ 14A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT23F60B

aksione: 13424

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 24A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 11A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT22F120B2

aksione: 3405

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT22F120L

aksione: 3400

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 23A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 12A, 10V,

Për të demluar