Diodat - Ndreqësit - Vargjet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

MF200K06F2-BP

aksione: 2096

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.6V @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

aksione: 1014

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 600A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.5V @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

aksione: 3220

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURT20005

aksione: 1230

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

aksione: 1241

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

aksione: 1863

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1000V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 150A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

aksione: 964

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 200A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

aksione: 1918

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 100A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

aksione: 968

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 600A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

aksione: 2527

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 160A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 160A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

aksione: 1367

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

aksione: 1252

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 125A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

aksione: 1392

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

aksione: 1502

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

aksione: 1207

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

aksione: 1452

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

aksione: 2843

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

aksione: 1329

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.5V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

aksione: 1522

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 60A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

aksione: 3312

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

FST100200

aksione: 1661

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 50A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 50A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

aksione: 1083

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

aksione: 985

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 200A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTPBF

aksione: 37

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 975mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

ON Semiconductor

SBAS40-06LT1G

aksione: 116103

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 40mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar

ON Semiconductor

MBR4045WTG

aksione: 18105

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

ON Semiconductor

MMBD1405A

aksione: 134157

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 175V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 200mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar

ON Semiconductor

NRVBD650CTT4G-VF01

aksione: 146097

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

ON Semiconductor

NRVBB2060CTT4G

aksione: 161027

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Microsemi Corporation

MSCD200-12

aksione: 1707

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 300A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Microsemi Corporation

MSCD200-16

aksione: 1634

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 300A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Infineon Technologies

DD340N18SHPSA1

aksione: 72

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 330A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

STMicroelectronics

STPSC20H065CWY

aksione: 9239

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 650V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.75V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Sensata-Crydom

F1892RD1200

aksione: 738

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 90A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 270A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Power Integrations

LQA10N150C

aksione: 150976

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Sanken

FMD-4206S

aksione: 20421

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar