Diodat - Ndreqësit - Vargjet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

MBRT200150

aksione: 1643

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR60035CTR

aksione: 971

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT20060

aksione: 1363

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR30020CT

aksione: 1118

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020

aksione: 990

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 200A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR40040CTR

aksione: 1247

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 125A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CTR

aksione: 1311

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR400200CT

aksione: 1516

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A080

aksione: 3862

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 50A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 840mV @ 50A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020R

aksione: 997

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT200100R

aksione: 1601

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT40030R

aksione: 1342

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR12035CT

aksione: 1538

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 120A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR50060CT

aksione: 1162

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT50020R

aksione: 1081

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR40060CT

aksione: 1224

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT12080R

aksione: 1843

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 60A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR50030CTR

aksione: 1126

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR2X120A12

aksione: 2471

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2.35V @ 120A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CT

aksione: 1571

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT600100R

aksione: 949

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 600A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURTA20020

aksione: 1000

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT600150R

aksione: 892

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

FST16030

aksione: 1497

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 160A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 160A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MSRTA200120(A)D

aksione: 1326

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 200A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080R

aksione: 1388

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300140(A)D

aksione: 1362

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 300A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Powerex Inc.

LDR11666

aksione: 41

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 660A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 1978A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

UHB20FCT-E3/4W

aksione: 44467

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-60CPQ150PBF

aksione: 13698

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 30A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 830mV @ 30A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30200C-E3/4W

aksione: 26870

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

ON Semiconductor

NRVBD640CTG-VF01

aksione: 107735

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Sensata-Crydom

F1892CCD400

aksione: 927

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 90A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.4V @ 270A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Micro Commercial Co

MD240C16D2-BP

aksione: 1195

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 240A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 300A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

STMicroelectronics

STPS10170CT

aksione: 67201

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 170V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

IXYS

DSS2X101-02A

aksione: 2894

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 940mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar