Diodat - Ndreqësit - Vargjet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

MBRD660CTG

aksione: 81424

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

ON Semiconductor

NRVHP820MFDT3G

aksione: 69

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 4A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.05V @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT300200R

aksione: 1564

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR400150CTR

aksione: 1548

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT300150R

aksione: 1563

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 150A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 150A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTR

aksione: 1533

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 840mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR40080CTR

aksione: 1212

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 840mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR20060CTR

aksione: 1519

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X050A045

aksione: 3870

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 50A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 50A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT40045R

aksione: 1156

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 400A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 200A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A200

aksione: 3030

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CT

aksione: 1552

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MURT20020

aksione: 1213

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.3V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR600100CT

aksione: 972

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)D

aksione: 1324

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 200A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CTR

aksione: 1192

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Reverse Polarity, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 250A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A120

aksione: 3096

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 120V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBRT12035

aksione: 1844

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 60A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MUR30060CT

aksione: 1342

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 100A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CT

aksione: 1491

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 120A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 60A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

FST160150

aksione: 1636

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 80A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 80A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM120CHM3/I

aksione: 100592

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 120V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 970mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2060C-M3/4W

aksione: 109388

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 650mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060G-E3/4W

aksione: 128134

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 730mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT2045CBP-M3/4W

aksione: 102836

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT4060C-M3/4W

aksione: 67167

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 620mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40PW60C-M3/I

aksione: 116952

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 680mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060G-M3/4W

aksione: 121490

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 730mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT6045C-M3/4W

aksione: 47709

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 30A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 640mV @ 30A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20M120M-E3/4W

aksione: 159782

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 120V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.01V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40120C-M3/4W

aksione: 58911

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 120V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 880mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20202G-M3/4W

aksione: 40301

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

MBR1090CT-E3/4W

aksione: 120106

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2006GHC0G

aksione: 157

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20200CTHC0G

aksione: 152

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.23V @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Global Power Technologies Group

GHXS010A060S-D3

aksione: 3747

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar