Diodat - Ndreqësit - Vargjet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

RF1601NS2DFHTL

aksione: 163

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 16A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 930mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Rohm Semiconductor

RB425DFHT146

aksione: 116312

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 50mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 100mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15100CT MNG

aksione: 148

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 7.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660HMNG

aksione: 111

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 16A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008G C0G

aksione: 164

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1050CT C0G

aksione: 73

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 900mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004GHC0G

aksione: 112

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100HC0G

aksione: 121

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 920mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

SR1660PTHC0G

aksione: 119

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 16A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS20150CT-Y MNG

aksione: 153

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 990mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1090CT MNG

aksione: 94

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1090HC0G

aksione: 131

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 900mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

UG1004G C0G

aksione: 100

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

GP1607 C0G

aksione: 141

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 16A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2050 C0G

aksione: 138

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150 C0G

aksione: 139

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

SR2040 C0G

aksione: 78

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/86A

aksione: 116820

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 4A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 540mV @ 4A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB4045CTRHM3

aksione: 51216

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ06FNTRHM3

aksione: 83406

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 610mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CWQ10FNTRR-M3

aksione: 179327

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 6A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 12A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2090CTHM3

aksione: 87641

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P6C-M3/87A

aksione: 156747

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 4A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 4A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ10FNTRLHM3

aksione: 81352

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L40CW-N3

aksione: 11518

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 530mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3C-M3/87A

aksione: 190422

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 4A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 4A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10KM120DU-M3/H

aksione: 164483

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 120V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 890mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/H

aksione: 156818

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 6A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 520mV @ 6A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTHM3

aksione: 87595

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 800mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3CLHM3_A/I

aksione: 123071

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 530mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Microsemi Corporation

MBR3045CTE3/TU

aksione: 83378

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

STMicroelectronics

STTH602CBY-TR

aksione: 175500

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

aksione: 196401

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 150mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

DA37102D0L

aksione: 124296

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 100mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PMEG3020CPA,115

aksione: 189780

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 440mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar

GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

aksione: 811

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 500A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 500A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar