Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Diodat - Ndreqësit - Vargjet

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

aksione: 85835

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 8A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 720mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

aksione: 40430

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 810mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

aksione: 91136

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 7.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 7.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

aksione: 52402

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 25V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

aksione: 159302

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 700mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

aksione: 186384

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

aksione: 52472

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

aksione: 63269

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 25V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

aksione: 180307

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 4A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 4A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

aksione: 169876

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 3.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 520mV @ 6A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

aksione: 1374

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 1200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 250A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 250A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

aksione: 665

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Anode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 300A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 300A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

aksione: 149

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

aksione: 160

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 750mV @ 7.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

aksione: 130

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 90V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

aksione: 73

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

aksione: 106

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

aksione: 156

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

aksione: 104

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 16A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

aksione: 130

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

aksione: 78

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.05V @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

aksione: 119

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

aksione: 96

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 840mV @ 15A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

aksione: 107

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

aksione: 128

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 150V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 15A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.05V @ 7.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

aksione: 79

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 16A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 900mV @ 8A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

aksione: 145

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 35V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 25A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 820mV @ 12.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

aksione: 106

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 50V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 16A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 8A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

aksione: 94309

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: FERD (Field Effect Rectifier Diode), Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 45V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 500mV @ 20A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

aksione: 51763

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 300V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.25V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

aksione: 146

Konfigurimi i diodës: 3 Independent, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 80V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 80mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.2V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

aksione: 101509

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 100V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 20A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 850mV @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

aksione: 156683

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 70V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 70mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 15mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

aksione: 124599

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Series Connection, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 200mA (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 100mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Për të demluar
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

aksione: 119712

Konfigurimi i diodës: 1 Pair Common Cathode, Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 10A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 10A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

aksione: 80

Konfigurimi i diodës: 2 Independent, Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io) (për diodë): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 6A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Për të demluar