Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar, Para-An

Shtëpi
Kategoria e produkteve
Produkte diskrete gjysmëpërçuese
Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar, Para-An

BCR503E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR503E6393HTSA1

aksione: 1955

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Për të demluar

BCR183E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR183E6359HTMA1

aksione: 1981

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR192E6785HTSA1

Infineon Technologies

BCR192E6785HTSA1

aksione: 1986

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR148E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR148E6393HTSA1

aksione: 2004

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR135E6359HTMA1

Infineon Technologies

BCR135E6359HTMA1

aksione: 1907

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR133E6393HTSA1

Infineon Technologies

BCR133E6393HTSA1

aksione: 3211

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 148W H6433

aksione: 1910

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 569 E6327

aksione: 1861

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 512 B6327

aksione: 1858

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 199T E6327

aksione: 1876

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 503 B6327

aksione: 1882

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 199F E6327

aksione: 1910

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR 199L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 199L3 E6327

aksione: 1899

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR198WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR198WE6327BTSA1

aksione: 1924

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 198F E6327

aksione: 1931

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR 198L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 198L3 E6327

aksione: 1885

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR196WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR196WE6327HTSA1

aksione: 1922

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR198B6327HTLA1

Infineon Technologies

BCR198B6327HTLA1

aksione: 1860

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 196T E6327

aksione: 1855

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 196F E6327

aksione: 1930

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR 196L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 196L3 E6327

aksione: 1883

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR192WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR192WE6327HTSA1

aksione: 1884

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 192T E6327

aksione: 1842

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 192F E6327

aksione: 1916

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR 192L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 192L3 E6327

aksione: 1847

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 192 B6327

aksione: 1847

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR191WE6327HTSA1

Infineon Technologies

BCR191WE6327HTSA1

aksione: 3227

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR 191L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 191L3 E6327

aksione: 1904

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 191T E6327

aksione: 1869

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 189T E6327

aksione: 1877

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 191F E6327

aksione: 1883

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 189F E6327

aksione: 1898

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR 189L3 E6327

Infineon Technologies

BCR 189L3 E6327

aksione: 3268

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

BCR185WE6327BTSA1

Infineon Technologies

BCR185WE6327BTSA1

aksione: 1845

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 185T E6327

aksione: 1848

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Infineon Technologies

BCR 185F E6327

aksione: 1892

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

3153

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»