Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar, Para-An

BCR 185L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 185L3 E6327

aksione: 1871

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR183WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR183WE6327HTSA1

aksione: 1865

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 183T E6327
Infineon Technologies

BCR 183T E6327

aksione: 1847

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 183L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 183L3 E6327

aksione: 1907

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 183F E6327
Infineon Technologies

BCR 183F E6327

aksione: 3202

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 183 B6327
Infineon Technologies

BCR 183 B6327

aksione: 1927

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 179T E6327
Infineon Technologies

BCR 179T E6327

aksione: 1862

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 179L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 179L3 E6327

aksione: 1836

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 179F E6327
Infineon Technologies

BCR 179F E6327

aksione: 1917

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR169WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR169WE6327HTSA1

aksione: 1909

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 169T E6327
Infineon Technologies

BCR 169T E6327

aksione: 3183

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 169L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 169L3 E6327

aksione: 1869

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 169F E6327
Infineon Technologies

BCR 169F E6327

aksione: 1913

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 166T E6327
Infineon Technologies

BCR 166T E6327

aksione: 1873

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 166L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 166L3 E6327

aksione: 1856

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 166F E6327
Infineon Technologies

BCR 166F E6327

aksione: 1832

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR166B6327HTLA1
Infineon Technologies

BCR166B6327HTLA1

aksione: 1908

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 164L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 164L3 E6327

aksione: 1830

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 164T E6327
Infineon Technologies

BCR 164T E6327

aksione: 3231

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 164F E6327
Infineon Technologies

BCR 164F E6327

aksione: 1842

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 162T E6327
Infineon Technologies

BCR 162T E6327

aksione: 1839

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 162F E6327
Infineon Technologies

BCR 162F E6327

aksione: 1848

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR158WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BCR158WE6327HTSA1

aksione: 1840

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 162 B6327
Infineon Technologies

BCR 162 B6327

aksione: 1887

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 158T E6327
Infineon Technologies

BCR 158T E6327

aksione: 1908

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 158L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 158L3 E6327

aksione: 1838

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 158 B6327
Infineon Technologies

BCR 158 B6327

aksione: 1880

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 158F E6327
Infineon Technologies

BCR 158F E6327

aksione: 1870

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 153T E6327
Infineon Technologies

BCR 153T E6327

aksione: 1846

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Për të demluar
BCR 153L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 153L3 E6327

aksione: 1899

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Për të demluar
BCR 153F E6327
Infineon Technologies

BCR 153F E6327

aksione: 1847

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V,

Për të demluar
BCR 151L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 151L3 E6327

aksione: 1890

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 151T E6327
Infineon Technologies

BCR 151T E6327

aksione: 1855

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 151F E6327
Infineon Technologies

BCR 151F E6327

aksione: 1827

Lloji i tranzitorit: PNP - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 100 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 100 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 149T E6327
Infineon Technologies

BCR 149T E6327

aksione: 1902

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar
BCR 149L3 E6327
Infineon Technologies

BCR 149L3 E6327

aksione: 1877

Lloji i tranzitorit: NPN - Pre-Biased, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

Për të demluar