Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 39

QSX7TR

aksione: 133111

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

FMW1T148

aksione: 193173

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

FMY4AT148

aksione: 115359

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP Complementary Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

EMX5T2R

aksione: 132191

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 11V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

US6T9TR

aksione: 144882

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

QSX8TR

aksione: 124260

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

IMX5T108

aksione: 149748

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 11V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

aksione: 158820

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

QS5W2TR

aksione: 188842

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

IMX17T108

aksione: 170021

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

IMX3T108

aksione: 188015

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

aksione: 189718

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

IMX1T108

aksione: 134514

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

QSZ2TR

aksione: 151664

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

IMZ4T108

aksione: 137089

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

aksione: 165705

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

aksione: 108768

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

QS5W1TR

aksione: 144757

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual) Common Emitter, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

aksione: 102872

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Texas Instruments

ULN2003ADRG4

aksione: 142447

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA,

Për të demluar

Texas Instruments

ULN2003AIPWR

aksione: 189360

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

aksione: 137638

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

aksione: 182764

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

aksione: 158166

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

aksione: 145001

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

aksione: 116803

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

aksione: 174855

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

aksione: 191209

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

aksione: 145366

Lloji i tranzitorit: NPN, PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar

Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

aksione: 180805

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar

Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

aksione: 136392

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar

Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

aksione: 154530

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

aksione: 175513

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

DMC206010R

aksione: 130805

Lloji i tranzitorit: 2 NPN (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

aksione: 145782

Lloji i tranzitorit: 7 NPN Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

Për të demluar

ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

aksione: 189131

Lloji i tranzitorit: 2 PNP (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar