Transistorët - Bipolar (BJT) - Vargjet, Para- | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 42

RN4611(TE85L,F)

aksione: 141210

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

aksione: 3152

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1704JE(TE85L,F)

aksione: 146002

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1966FE(TE85L,F)

aksione: 140649

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4605(TE85L,F)

aksione: 128492

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF

aksione: 1491

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN4991(T5L,F,T)

aksione: 171762

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906(T5L,F,T)

aksione: 1452

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

RN2967FE(TE85L,F)

aksione: 1533

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

ON Semiconductor

NSBC144EPDXV6T1

aksione: 1447

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

SMUN5311DW1T3G

aksione: 194732

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

NSBC114YPDXV6T1G

aksione: 119881

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

ON Semiconductor

NSVMUN5215DW1T1G

aksione: 125619

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

XP0611100L

aksione: 3177

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

DMA264020R

aksione: 161487

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 22 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

XP0431N00L

aksione: 1508

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

UP0339000L

aksione: 1392

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

DMC5640L0R

aksione: 105345

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

DMC261050R

aksione: 137140

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

XN0111100L

aksione: 1412

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

DMC9640N0R

aksione: 173694

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Panasonic Electronic Components

UP0431600L

aksione: 1457

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 4.7 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DDC122LH-7

aksione: 188923

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 220 Ohms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DDA122TH-7

aksione: 153892

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 220 Ohms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DDA114EH-7

aksione: 143085

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

EMF21-7

aksione: 1520

Lloji i tranzitorit: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, 12V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DCX114EH-7

aksione: 121977

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DDA114YH-7

aksione: 189792

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 10 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DCX122LH-7

aksione: 183456

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 220 Ohms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 10 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DEMD48-7

aksione: 178699

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 100 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PUMD16,115

aksione: 167856

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 22 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PBLS2001D,115

aksione: 161521

Lloji i tranzitorit: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, 20V, Rezistori - Baza (R1): 2.2 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 2.2 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 220 @ 500mA, 2V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PUMH2,115

aksione: 114659

Lloji i tranzitorit: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PUMB2F

aksione: 100

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Nexperia USA Inc.

PUMD12/DG/B3,115

aksione: 1543

Lloji i tranzitorit: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

Për të demluar

Rohm Semiconductor

UMB2NTN

aksione: 156135

Lloji i tranzitorit: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Rezistori - Baza (R1): 47 kOhms, Rezistori - Baza e Emitterit (R2): 47 kOhms, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

Për të demluar