Transistorë - FET, MOSFET - Vargje

Microsemi Corporation

APTM120H29FG

aksione: 261

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V (1.2kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 34A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 348 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM10HM05FG

aksione: 446

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 278A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM50H15FT1G

aksione: 2107

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 25A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 21A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA,

Për të demluar

APTMC170AM30CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC170AM30CT1AG

aksione: 139

Lloji FET: 2 N Channel (Phase Leg), Tipar FET: Silicon Carbide (SiC), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1700V (1.7kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 5mA (Typ),

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM08TAM04PG

aksione: 1065

Lloji FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 75V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 120A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM20HM08FG

aksione: 381

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 208A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 104A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM20AM05FG

aksione: 433

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 317A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 158.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 10mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM10HM09FT3G

aksione: 940

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 139A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 2.5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM10HM19FT3G

aksione: 1470

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC60HM83FT2G

aksione: 1719

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 36A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 18A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC80H15T1G

aksione: 1728

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM50AM38SCTG

aksione: 599

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Silicon Carbide (SiC), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 90A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 45A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM20HM10FG

aksione: 489

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 175A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC60HM45SCTG

aksione: 743

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Super Junction, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 22.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC80H15T3G

aksione: 1759

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC60HM35T3G

aksione: 248

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM50TAM65FPG

aksione: 545

Lloji FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC60TDUM35PG

aksione: 688

Lloji FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 72A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 72A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5.4mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM10AM05FTG

aksione: 820

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 278A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 mOhm @ 125A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC60HM70RT3G

aksione: 1479

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier, Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 39A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 39A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2.7mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC60HM45T1G

aksione: 1300

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC80TA15PG

aksione: 1022

Lloji FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 28A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 14A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 2mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC80H29T3G

aksione: 2362

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 800V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM50HM75SCTG

aksione: 667

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Silicon Carbide (SiC), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 46A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 23A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Për të demluar

APTMC120AM20CT1AG

Microsemi Corporation

APTMC120AM20CT1AG

aksione: 173

Lloji FET: 2 N Channel (Phase Leg), Tipar FET: Silicon Carbide (SiC), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V (1.2kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 143A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 100A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 2mA (Typ),

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM120A20DG

aksione: 538

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V (1.2kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 50A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240 mOhm @ 25A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTC60AM45T1G

aksione: 293

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Për të demluar

APTMC120TAM34CT3AG

Microsemi Corporation

APTMC120TAM34CT3AG

aksione: 251

Lloji FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Tipar FET: Silicon Carbide (SiC), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1200V (1.2kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 74A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 15mA,

Për të demluar

APTM50DDAM65T3G

Microsemi Corporation

APTM50DDAM65T3G

aksione: 1269

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 51A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78 mOhm @ 25.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Për të demluar

APTC60DDAM24T3G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM24T3G

aksione: 1114

Lloji FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Tipar FET: Super Junction, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 95A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 5mA,

Për të demluar

APTM10DSKM19T3G

Microsemi Corporation

APTM10DSKM19T3G

aksione: 1965

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 70A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 35A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM20AM06SG

aksione: 553

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 300A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 150A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 6mA,

Për të demluar

APTC60DDAM45T1G

Microsemi Corporation

APTC60DDAM45T1G

aksione: 1722

Lloji FET: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), Tipar FET: Super Junction, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 49A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM100H18FG

aksione: 404

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V (1kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 43A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM100H35FT3G

aksione: 784

Lloji FET: 4 N-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 1000V (1kV), Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTM20TAM16FPG

aksione: 537

Lloji FET: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 200V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 104A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 52A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA,

Për të demluar

3600

«
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
»