Transistorët - IGBT - Modulet | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 65

APTGF165SK60D1G

aksione: 463

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 230A, Fuqia - Maks: 730W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

aksione: 496

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 220A, Fuqia - Maks: 833W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

aksione: 456

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 230A, Fuqia - Maks: 781W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

aksione: 448

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 230A, Fuqia - Maks: 730W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

aksione: 440

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25A, Fuqia - Maks: 140W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

aksione: 442

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25A, Fuqia - Maks: 140W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

aksione: 487

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25A, Fuqia - Maks: 140W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

aksione: 414

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 961W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

aksione: 410

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 961W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

aksione: 435

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 961W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

aksione: 453

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 135A, Fuqia - Maks: 568W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

aksione: 3069

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 961W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

aksione: 453

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Dual, Common Source, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 135A, Fuqia - Maks: 568W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

aksione: 411

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 130A, Fuqia - Maks: 735W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

aksione: 435

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 135A, Fuqia - Maks: 568W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

aksione: 455

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 93A, Fuqia - Maks: 378W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

aksione: 418

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 93A, Fuqia - Maks: 378W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

aksione: 3465

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 347W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

aksione: 3433

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 347W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

aksione: 448

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 277W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

aksione: 465

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 58A, Fuqia - Maks: 192W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

aksione: 416

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 58A, Fuqia - Maks: 192W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

aksione: 481

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Fuqia - Maks: 416W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT75GN120J

aksione: 420

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 124A, Fuqia - Maks: 379W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

aksione: 401

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 124A, Fuqia - Maks: 379W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT60GT60JR

aksione: 445

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 93A, Fuqia - Maks: 378W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GP60J

aksione: 2419

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 329W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

aksione: 393

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 72A, Fuqia - Maks: 379W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

aksione: 2536

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 86A, Fuqia - Maks: 284W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

aksione: 469

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 77A, Fuqia - Maks: 347W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT200GN60JG

aksione: 406

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 283A, Fuqia - Maks: 682W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

aksione: 1653

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 128A, Fuqia - Maks: 543W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

aksione: 1360

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 65A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Për të demluar

STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

aksione: 373

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Phase Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 454.5W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Për të demluar

STMicroelectronics

A2P75S12M3

aksione: 372

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Phase Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 454.5W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Për të demluar

STMicroelectronics

A2C50S65M2

aksione: 320

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Phase Inverter with Brake, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Fuqia - Maks: 208W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

Për të demluar