Transistorët - IGBT - Modulet

Microsemi Corporation

APTGV50H60T3G

aksione: 530

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 176W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV75H60T3G

aksione: 491

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV50H60BG

aksione: 539

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 176W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV50H120T3G

aksione: 546

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 270W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV30H60T3G

aksione: 476

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Fuqia - Maks: 90W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Për të demluar

APTGV50H120BTPG

Microsemi Corporation

APTGV50H120BTPG

aksione: 466

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 270W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV25H120BG

aksione: 528

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Fuqia - Maks: 156W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV25H120T3G

aksione: 540

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Fuqia - Maks: 156W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV100H60T3G

aksione: 546

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 340W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGV15H120T3G

aksione: 487

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 25A, Fuqia - Maks: 115W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

aksione: 546

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Phase, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGV100H60BTPG

Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

aksione: 5307

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 340W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Për të demluar

APTGT75SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

aksione: 531

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 357W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGT75SK120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

aksione: 541

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 357W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

aksione: 521

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGT75DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

aksione: 490

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Buck Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

aksione: 478

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 357W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGT75DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

aksione: 540

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 130A, Fuqia - Maks: 465W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGT75DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

aksione: 464

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Fuqia - Maks: 520W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGT75DA120T1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

aksione: 555

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 357W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

aksione: 545

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Fuqia - Maks: 520W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGT75DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

aksione: 548

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 357W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

aksione: 526

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 357W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

aksione: 526

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 760A, Fuqia - Maks: 1600W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 600A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

aksione: 482

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Phase, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 310W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGT50SK170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

aksione: 514

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 310W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

aksione: 476

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual, Common Source, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGT50DSK60T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

aksione: 541

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Buck Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 176W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGT50DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

aksione: 552

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Buck Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 270W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

aksione: 528

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 176W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGT50DA170T1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

aksione: 3071

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGT50DA170D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

aksione: 518

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 310W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGT50DA120D1G

Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

aksione: 496

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 270W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

aksione: 535

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 310W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

aksione: 520

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 176W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

aksione: 494

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 270W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar

2333

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»