Transistorët - IGBT - Modulet

APTGLQ40DDA120CT3G

Microsemi Corporation

APTGLQ40DDA120CT3G

aksione: 1378

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Për të demluar

APT40GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT40GLQ120JCU2

aksione: 1989

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

Për të demluar

APT25GLQ120JCU2

Microsemi Corporation

APT25GLQ120JCU2

aksione: 2465

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 45A, Fuqia - Maks: 170W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT150A1202G

aksione: 620

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 220A, Fuqia - Maks: 690W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT100A602G

aksione: 595

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 340W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Për të demluar

APTGT100DH60T3G

Microsemi Corporation

APTGT100DH60T3G

aksione: 549

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 340W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Për të demluar

APTGL90SK120T1G

Microsemi Corporation

APTGL90SK120T1G

aksione: 602

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 385W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGT100A1202G

aksione: 625

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 140A, Fuqia - Maks: 480W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Për të demluar

APTGL60DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DSK120T3G

aksione: 542

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Buck Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 280W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT75GP120J

aksione: 1816

Lloji IGBT: PT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 128A, Fuqia - Maks: 543W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGL90DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGL90DH120T3G

aksione: 541

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 385W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A,

Për të demluar

APTGF50DSK120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DSK120T3G

aksione: 556

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Dual Buck Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGL60DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGL60DH120T3G

aksione: 534

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 280W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGF50DH120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DH120T3G

aksione: 607

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF25H120T2G

aksione: 579

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Fuqia - Maks: 208W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A,

Për të demluar

APTGF100A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGF100A120T3AG

aksione: 542

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 130A, Fuqia - Maks: 780W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Për të demluar

APTGF150A60T3AG

Microsemi Corporation

APTGF150A60T3AG

aksione: 560

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 230A, Fuqia - Maks: 833W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

Për të demluar

APTCV60HM70BT3G

Microsemi Corporation

APTCV60HM70BT3G

aksione: 5334

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTCV60HM70RT3G

Microsemi Corporation

APTCV60HM70RT3G

aksione: 574

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT70GR120J

aksione: 2416

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 112A, Fuqia - Maks: 543W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT50GR120JD30

aksione: 2286

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 84A, Fuqia - Maks: 417W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APT200GN60J

aksione: 2197

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 283A, Fuqia - Maks: 682W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

Për të demluar

APTGF50VDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50VDA120T3G

aksione: 578

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Dual Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGF50VDA60T3G

Microsemi Corporation

APTGF50VDA60T3G

aksione: 3071

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Dual Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 65A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF50H60T2G

aksione: 594

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 65A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APTGF150A120T3AG

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3AG

aksione: 580

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 210A, Fuqia - Maks: 1041W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF100A1202G

aksione: 540

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 135A, Fuqia - Maks: 568W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

Për të demluar

APTGF50DDA120T3G

Microsemi Corporation

APTGF50DDA120T3G

aksione: 546

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Dual Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Fuqia - Maks: 312W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF90DH60T3G

aksione: 581

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 416W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

Për të demluar

APTGF150A120T3WG

Microsemi Corporation

APTGF150A120T3WG

aksione: 600

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 210A, Fuqia - Maks: 961W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF50DH60T1G

aksione: 546

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 65A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF50TL60T3G

aksione: 585

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Three Level Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 65A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTGF30TL601G

aksione: 3077

Lloji IGBT: NPT, Konfigurimi: Three Level Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 42A, Fuqia - Maks: 140W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A,

Për të demluar

APTCV60TLM99T3G

Microsemi Corporation

APTCV60TLM99T3G

aksione: 609

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Fuqia - Maks: 90W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Për të demluar

Microsemi Corporation

APTCV90TL12T3G

aksione: 524

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Level Inverter - IGBT, FET, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 280W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Për të demluar

APT150GN120JDQ4

Microsemi Corporation

APT150GN120JDQ4

aksione: 1322

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 215A, Fuqia - Maks: 625W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Për të demluar

2333

«
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
»