Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Modulet

APTGLQ100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ100DA120T1G

aksione: 324

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 170A, Fuqia - Maks: 520W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.42V @ 15V, 100A,

Për të demluar
APTGLQ200A120T3AG
Microsemi Corporation

APTGLQ200A120T3AG

aksione: 317

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: 2 Independent, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 400A, Fuqia - Maks: 1250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 160A,

Për të demluar
APTGL90DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DSK120T3G

aksione: 1591

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Buck Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 385W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Për të demluar
APTGL90A120T1G
Microsemi Corporation

APTGL90A120T1G

aksione: 1766

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 385W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Për të demluar
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation

APTGLQ300H65G

aksione: 510

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600A, Fuqia - Maks: 1000W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 300A,

Për të demluar
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation

APTGTQ100A65T1G

aksione: 268

Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Për të demluar
APTGT75A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75A60T1G

aksione: 2517

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar
APTGT30X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30X60T3G

aksione: 1938

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Phase Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Fuqia - Maks: 90W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A,

Për të demluar
APTGTQ200DA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200DA65T3G

aksione: 297

Konfigurimi: Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 483W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Për të demluar
APTGT100H60TG
Microsemi Corporation

APTGT100H60TG

aksione: 1208

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 340W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Për të demluar
APTGLQ200H120G
Microsemi Corporation

APTGLQ200H120G

aksione: 505

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 350A, Fuqia - Maks: 1000W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 200A,

Për të demluar
APTGT600DA60G
Microsemi Corporation

APTGT600DA60G

aksione: 718

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700A, Fuqia - Maks: 2300W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 600A,

Për të demluar
APTGT75DA60T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA60T1G

aksione: 2807

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar
APTGL475U120D4G
Microsemi Corporation

APTGL475U120D4G

aksione: 692

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 610A, Fuqia - Maks: 2082W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A,

Për të demluar
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation

APTGLQ75H65T1G

aksione: 1579

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

Për të demluar
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT100DU120TG

aksione: 1313

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual, Common Source, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 140A, Fuqia - Maks: 480W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

Për të demluar
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU120TG

aksione: 1568

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual, Common Source, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Fuqia - Maks: 277W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

Për të demluar
APTGT300A170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300A170D3G

aksione: 469

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 530A, Fuqia - Maks: 1470W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Për të demluar
APTGT150SK170G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170G

aksione: 920

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 250A, Fuqia - Maks: 890W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 150A,

Për të demluar
APTGT300SK170G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170G

aksione: 631

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 400A, Fuqia - Maks: 1660W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

Për të demluar
APTGT400A120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400A120D3G

aksione: 443

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 580A, Fuqia - Maks: 2100W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 400A,

Për të demluar
APTGL60DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL60DDA120T3G

aksione: 1919

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 280W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 50A,

Për të demluar
APTGT100TL170G
Microsemi Corporation

APTGT100TL170G

aksione: 530

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Level Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 560W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

Për të demluar
APTGTQ200A65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200A65T3G

aksione: 255

Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 483W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Për të demluar
APTGTQ100H65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ100H65T3G

aksione: 237

Konfigurimi: Full Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A,

Për të demluar
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75X60T3G

aksione: 1419

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Three Phase Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Fuqia - Maks: 250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

Për të demluar
APTGT150A120G
Microsemi Corporation

APTGT150A120G

aksione: 851

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 220A, Fuqia - Maks: 690W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

Për të demluar
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50H60T1G

aksione: 2031

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Full Bridge Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Fuqia - Maks: 176W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

Për të demluar
APTGT225DA170G
Microsemi Corporation

APTGT225DA170G

aksione: 770

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 340A, Fuqia - Maks: 1250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Për të demluar
APTGT100A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT100A60T1G

aksione: 2167

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Half Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Fuqia - Maks: 340W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

Për të demluar
APTGT225DU170G
Microsemi Corporation

APTGT225DU170G

aksione: 515

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual, Common Source, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 340A, Fuqia - Maks: 1250W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 225A,

Për të demluar
APTGT200SK60T3AG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60T3AG

aksione: 1579

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Single, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 290A, Fuqia - Maks: 750W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

Për të demluar
APTGT200DH120G
Microsemi Corporation

APTGT200DH120G

aksione: 709

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Asymmetrical Bridge, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 280A, Fuqia - Maks: 890W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 200A,

Për të demluar
APTGL90DDA120T3G
Microsemi Corporation

APTGL90DDA120T3G

aksione: 1593

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Konfigurimi: Dual Boost Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Fuqia - Maks: 385W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A,

Për të demluar
APTGTQ50TA65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ50TA65T3G

aksione: 244

Konfigurimi: Three Phase Inverter, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Fuqia - Maks: 125W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 50A,

Për të demluar
APTGTQ200SK65T3G
Microsemi Corporation

APTGTQ200SK65T3G

aksione: 292

Konfigurimi: Buck Chopper, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Fuqia - Maks: 483W, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 200A,

Për të demluar