Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 100

2SC2229-Y(T6ONK1FM

aksione: 6992

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP1,F,M

aksione: 6990

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SAN2,F,M

aksione: 7022

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(SHP,F,M)

aksione: 7021

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT,F,M)

aksione: 6703

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-Y(MIT1,F,M

aksione: 6975

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SHP1FM

aksione: 7020

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(TE6,F,M)

aksione: 7022

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6SAN2FM

aksione: 6954

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(T6MIT1FM

aksione: 6948

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP1,F,M

aksione: 6990

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(SHP,F,M)

aksione: 6947

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MITIF,M)

aksione: 7035

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229-O(MIT1F,M)

aksione: 7005

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2229(TE6SAN1F,M

aksione: 6999

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-O,PASF(M

aksione: 7004

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 400mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SC1627A-Y,PASF(M

aksione: 6754

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 400mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 200A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(M

aksione: 6942

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1495,Q(J

aksione: 6995

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.5mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6YMEF(M

aksione: 7000

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1481(TOJS,Q,M)

aksione: 6996

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 2µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457,T6TOTOF(J

aksione: 6949

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(TE6,F,M)

aksione: 6958

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CNO,A,F)

aksione: 6947

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1375,CLARIONF(M

aksione: 6980

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SB1457(T6CANO,F,M

aksione: 7012

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6KOJPF(J

aksione: 6968

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,T6F(J

aksione: 7012

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,SWFF(M

aksione: 6956

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y,F(J

aksione: 6980

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(T6CANO,FM

aksione: 6968

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-Y(F,M)

aksione: 7009

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O,F(J

aksione: 6956

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA949-Y,ONK-1F(M

aksione: 6969

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 1mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

Për të demluar

Toshiba Semiconductor and Storage

2SA965-O(TE6,F,M)

aksione: 7016

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 120V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

ON Semiconductor

2SC6017-E

aksione: 111005

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 360mV @ 250mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

Për të demluar