Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

2N5195 SL H
Central Semiconductor Corp

2N5195 SL H

aksione: 6970

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

Për të demluar
2N5192R
Central Semiconductor Corp

2N5192R

aksione: 6917

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

Për të demluar
2N5192 SL H
Central Semiconductor Corp

2N5192 SL H

aksione: 6944

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 2V,

Për të demluar
2N2484
Central Semiconductor Corp

2N2484

aksione: 18390

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 2nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10µA, 5V,

Për të demluar
2N1711
Central Semiconductor Corp

2N1711

aksione: 34721

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2N6671
Microsemi Corporation

2N6671

aksione: 845

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 300V, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 8A, 300V,

Për të demluar
2N6234
Microsemi Corporation

2N6234

aksione: 1693

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 275V, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 275V,

Për të demluar
2N4405
Microsemi Corporation

2N4405

aksione: 6946

Për të demluar
2N4033UB
Microsemi Corporation

2N4033UB

aksione: 6882

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N3960UB
Microsemi Corporation

2N3960UB

aksione: 6888

Lloji i tranzitorit: NPN, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N3960
Microsemi Corporation

2N3960

aksione: 6942

Lloji i tranzitorit: NPN, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 12V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N3635UB
Microsemi Corporation

2N3635UB

aksione: 6894

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N3635
Microsemi Corporation

2N3635

aksione: 6910

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N3634UB
Microsemi Corporation

2N3634UB

aksione: 6842

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N3499
Microsemi Corporation

2N3499

aksione: 6754

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2N3485A
Microsemi Corporation

2N3485A

aksione: 6848

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2N2945AUB
Microsemi Corporation

2N2945AUB

aksione: 6925

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV,

Për të demluar
2N5657G
ON Semiconductor

2N5657G

aksione: 124156

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V,

Për të demluar
2SD1835T-AA
ON Semiconductor

2SD1835T-AA

aksione: 6897

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SC4488T-AN
ON Semiconductor

2SC4488T-AN

aksione: 6927

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 40mA, 400mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SD1835S-AA
ON Semiconductor

2SD1835S-AA

aksione: 6951

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SD1207S-AE
ON Semiconductor

2SD1207S-AE

aksione: 6907

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SC4614S-AN
ON Semiconductor

2SC4614S-AN

aksione: 6734

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SC3332T-AA
ON Semiconductor

2SC3332T-AA

aksione: 6901

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 700mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SD1207T-AE
ON Semiconductor

2SD1207T-AE

aksione: 6923

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SC6043-AE
ON Semiconductor

2SC6043-AE

aksione: 6836

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SA2127-AE
ON Semiconductor

2SA2127-AE

aksione: 6861

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SC4487S-AN
ON Semiconductor

2SC4487S-AN

aksione: 6844

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 300mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SA1708S-AN
ON Semiconductor

2SA1708S-AN

aksione: 6852

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 40mA, 400mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SA1770S-AN
ON Semiconductor

2SA1770S-AN

aksione: 6873

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SA1552S-H
ON Semiconductor

2SA1552S-H

aksione: 106533

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N6043G
ON Semiconductor

2N6043G

aksione: 99038

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Për të demluar
2SA1162S-GR,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1162S-GR,LF(D

aksione: 6875

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V,

Për të demluar
2SC3624-T1B-A
Renesas Electronics America

2SC3624-T1B-A

aksione: 6869

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1mA, 5V,

Për të demluar
2SC3852
Sanken

2SC3852

aksione: 48520

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V,

Për të demluar
2SC5071
Sanken

2SC5071

aksione: 23053

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 12A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1.4A, 7A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 7A, 4V,

Për të demluar