Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

2N6517G
ON Semiconductor

2N6517G

aksione: 5638

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N6497G
ON Semiconductor

2N6497G

aksione: 5608

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 5A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 10V,

Për të demluar
2N6426G
ON Semiconductor

2N6426G

aksione: 5595

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30000 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N6427G
ON Semiconductor

2N6427G

aksione: 5641

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N5550G
ON Semiconductor

2N5550G

aksione: 6638

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5194G
ON Semiconductor

2N5194G

aksione: 100318

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 1A, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1.5A, 2V,

Për të demluar
2N5088G
ON Semiconductor

2N5088G

aksione: 5577

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5089G
ON Semiconductor

2N5089G

aksione: 5598

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N4124G
ON Semiconductor

2N4124G

aksione: 6622

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 1V,

Për të demluar
2N6520RLRAG
ON Semiconductor

2N6520RLRAG

aksione: 5643

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N5551RLRAG
ON Semiconductor

2N5551RLRAG

aksione: 5569

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5087RLRAG
ON Semiconductor

2N5087RLRAG

aksione: 5605

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5401RLRAG
ON Semiconductor

2N5401RLRAG

aksione: 5607

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N4401RLRAG
ON Semiconductor

2N4401RLRAG

aksione: 5597

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N3906RLRAG
ON Semiconductor

2N3906RLRAG

aksione: 5577

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N3904RLRAG
ON Semiconductor

2N3904RLRAG

aksione: 6574

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2SC4081RT1
ON Semiconductor

2SC4081RT1

aksione: 5558

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Për të demluar
2SA1576ART1
ON Semiconductor

2SA1576ART1

aksione: 5597

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 6V,

Për të demluar
2SA1774T1
ON Semiconductor

2SA1774T1

aksione: 5604

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500pA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

Për të demluar
2SC4793(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4793(F,M)

aksione: 163735

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SC5200-O(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5200-O(Q)

aksione: 22720

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 5V,

Për të demluar
2SA1837(F,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SA1837(F,M)

aksione: 96385

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2N4401,116
NXP USA Inc.

2N4401,116

aksione: 6566

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N3906,116
NXP USA Inc.

2N3906,116

aksione: 5579

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N3904,116
NXP USA Inc.

2N3904,116

aksione: 6652

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2SC581300L
Panasonic Electronic Components

2SC581300L

aksione: 6565

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 20mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SD262100L
Panasonic Electronic Components

2SD262100L

aksione: 5571

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V,

Për të demluar
2SC59930Q
Panasonic Electronic Components

2SC59930Q

aksione: 5564

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SA21400Q
Panasonic Electronic Components

2SA21400Q

aksione: 5535

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SA21400P
Panasonic Electronic Components

2SA21400P

aksione: 5631

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 180V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
2SD2264TV2R
Rohm Semiconductor

2SD2264TV2R

aksione: 5587

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SD2227STPW
Rohm Semiconductor

2SD2227STPW

aksione: 5584

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 1mA, 5V,

Për të demluar
2SD2144STPW
Rohm Semiconductor

2SD2144STPW

aksione: 5545

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1200 @ 10mA, 3V,

Për të demluar
2SD1963T100S
Rohm Semiconductor

2SD1963T100S

aksione: 6640

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 450mV @ 150mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V,

Për të demluar
2SD1867TV2
Rohm Semiconductor

2SD1867TV2

aksione: 5590

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

Për të demluar
2SD1862TV2R
Rohm Semiconductor

2SD1862TV2R

aksione: 5569

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 200mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

Për të demluar