Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

2SA854STPQ
Rohm Semiconductor

2SA854STPQ

aksione: 5560

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar
2SA2090TLR
Rohm Semiconductor

2SA2090TLR

aksione: 5528

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

Për të demluar
2SA2092TLR
Rohm Semiconductor

2SA2092TLR

aksione: 5537

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V,

Për të demluar
2SA1515STPQ
Rohm Semiconductor

2SA1515STPQ

aksione: 5558

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

Për të demluar
2SA1036KT146P
Rohm Semiconductor

2SA1036KT146P

aksione: 5565

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 32V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 100mA, 3V,

Për të demluar
2N4403T93
Rohm Semiconductor

2N4403T93

aksione: 5543

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N4401T93
Rohm Semiconductor

2N4401T93

aksione: 6615

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N3906T93
Rohm Semiconductor

2N3906T93

aksione: 5577

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2SD1863TV2R
Rohm Semiconductor

2SD1863TV2R

aksione: 5595

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 3V,

Për të demluar
2SD2170T100
Rohm Semiconductor

2SD2170T100

aksione: 5526

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 90V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1mA, 1A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 10µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 2V,

Për të demluar
2SC1740STPR
Rohm Semiconductor

2SC1740STPR

aksione: 5541

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1mA, 6V,

Për të demluar
2N5088
Central Semiconductor Corp

2N5088

aksione: 162811

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N2906AL
Microsemi Corporation

2N2906AL

aksione: 4869

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

Për të demluar
2SC39380RL
Panasonic Electronic Components

2SC39380RL

aksione: 5528

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2SA17380RL
Panasonic Electronic Components

2SA17380RL

aksione: 5605

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 15V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2SA10220BL
Panasonic Electronic Components

2SA10220BL

aksione: 5550

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 20V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 100mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V,

Për të demluar
2N5550
ON Semiconductor

2N5550

aksione: 5531

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 140V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N6520RLRA
ON Semiconductor

2N6520RLRA

aksione: 5490

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar
2N5087RLRA
ON Semiconductor

2N5087RLRA

aksione: 5561

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 50V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V,

Për të demluar
2N5551RLRA
ON Semiconductor

2N5551RLRA

aksione: 5554

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 160V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N5401RLRA
ON Semiconductor

2N5401RLRA

aksione: 5547

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 150V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

Për të demluar
2N4403RLRA
ON Semiconductor

2N4403RLRA

aksione: 5546

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
2N4401RLRA
ON Semiconductor

2N4401RLRA

aksione: 5522

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 600mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V,

Për të demluar
2N3906RLRA
ON Semiconductor

2N3906RLRA

aksione: 5561

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N3904RLRA
ON Semiconductor

2N3904RLRA

aksione: 5504

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

Për të demluar
2N6497
ON Semiconductor

2N6497

aksione: 5538

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 5A, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 10V,

Për të demluar
2N6667
ON Semiconductor

2N6667

aksione: 6592

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V,

Për të demluar
2N6292
ON Semiconductor

2N6292

aksione: 5516

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 7A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 70V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3.5V @ 3A, 7A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2A, 4V,

Për të demluar
2N6043
ON Semiconductor

2N6043

aksione: 5483

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Për të demluar
2N6045
ON Semiconductor

2N6045

aksione: 5562

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Për të demluar
2N6042
ON Semiconductor

2N6042

aksione: 5556

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V,

Për të demluar
2N6034
ON Semiconductor

2N6034

aksione: 5560

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 40V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Për të demluar
2N6040
ON Semiconductor

2N6040

aksione: 5564

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 16mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 20µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V,

Për të demluar
2N6038
ON Semiconductor

2N6038

aksione: 5505

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 40mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Për të demluar
2N5655
ON Semiconductor

2N5655

aksione: 5506

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 250V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV,

Për të demluar
2N6517
ON Semiconductor

2N6517

aksione: 5502

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V,

Për të demluar