Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Shtëpi
Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31V60W,LVQ

aksione: 15568

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 15.4A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW4R50ANH,L1Q

aksione: 93811

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 92A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 46A, 10V,

Listoj

SSM6J215FE(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J215FE(TE85L,F

aksione: 179583

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 3A, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K123TU,LF

aksione: 154973

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 3A, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK35N65W5,S1F

aksione: 8137

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 17.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31N60W5,S1VF

aksione: 10406

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 15.4A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK35A65W,S5X

aksione: 10249

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 17.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CTC,L3F

aksione: 165309

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 150mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60X,S1X

aksione: 12874

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 9.4A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPW1R306PL,L1Q

aksione: 52018

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 260A (Tc), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.29 mOhm @ 50A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J120TU,LF

aksione: 181550

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK31E60W,S1VX

aksione: 10871

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J351R,LF

aksione: 125673

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134 mOhm @ 1A, 10V,

Listoj

TPCA8026(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8026(TE12L,Q,M

aksione: 77538

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 45A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 mOhm @ 23A, 10V,

Listoj

SSM3K7002CFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K7002CFU,LF

aksione: 113529

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPH5900CNH,L1Q

aksione: 139118

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 150V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59 mOhm @ 4.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK39N60W5,S1VF

aksione: 10492

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 38.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 19.4A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J334R,LF

aksione: 114000

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K333R,LF

aksione: 181888

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K37FS,LF

aksione: 164622

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6K781G,LF

aksione: 168957

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72KCT,L3F

aksione: 168170

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 400mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J130TU,LF

aksione: 194401

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.8 mOhm @ 4A, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CT,L3F

aksione: 21564

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 10mA, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK16A60W,S4X

aksione: 29509

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190 mOhm @ 7.9A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9J90E,S1E

aksione: 20952

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 900V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 4.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14C65W5,S1Q

aksione: 26069

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13.7A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 6.9A, 10V,

Listoj

TK13A50DA(STA4,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A50DA(STA4,Q,M

aksione: 30522

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 500V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 12.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470 mOhm @ 6.3A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J132TU,LF

aksione: 103604

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5A, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK12A60W,S4VX

aksione: 20769

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 5.8A, 10V,

Listoj

TK15A60D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK15A60D(STA4,Q,M)

aksione: 24154

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 7.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK9A65W,S5X

aksione: 30056

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.3A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 4.6A, 10V,

Listoj

TK11A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK11A55D(STA4,Q,M)

aksione: 31876

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 550V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 630 mOhm @ 5.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK20V60W,LVQ

aksione: 26594

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

T2N7002AK,LM

aksione: 154374

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

Listoj

TK14A55D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

TK14A55D(STA4,Q,M)

aksione: 26114

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 550V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 370 mOhm @ 7A, 10V,

Listoj

741

«
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
»