Transistorë - FET, MOSFET - Të vetme | Produkte diskrete gjysmëpërçuese | 21

SSM3K303T(TE85L,F)

aksione: 872

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 1.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K316T(TE85L,F)

aksione: 922

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5G10TU(TE85L,F)

aksione: 1003

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213 mOhm @ 1A, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8002-H(TE12LQM

aksione: 6112

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 11A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM4K27CTTPL3

aksione: 933

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205 mOhm @ 250mA, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM5H12TU(TE85L,F)

aksione: 854

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.9A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133 mOhm @ 1A, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J53FE(TE85L,F)

aksione: 921

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 136 mOhm @ 1A, 2.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK65E10N1,S1X

aksione: 25010

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 148A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 32.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8004(TE85L,F)

aksione: 6099

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 4.2A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8052-H(TE12LQM

aksione: 42372

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 20A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.3 mOhm @ 10A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J114TU(T5L,T)

aksione: 1005

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 149 mOhm @ 600mA, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8003-H(TE12LQM

aksione: 6113

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9 mOhm @ 6.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K315T(TE85L,F)

aksione: 878

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.6 mOhm @ 4A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J51TUTE85LF

aksione: 910

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 2.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 2A, 2.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K35MFV(TPL3)

aksione: 157724

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.2V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 50mA, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J409TU(TE85L,F

aksione: 864

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1 mOhm @ 3A, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K106TU(TE85L)

aksione: 899

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 310 mOhm @ 600mA, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK4A60D(STA4,Q,M)

aksione: 890

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7 Ohm @ 2A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK40P04M1(T6RSS-Q)

aksione: 935

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J321T(TE85L,F)

aksione: 912

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.2A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCP8103-H(TE85LFM

aksione: 895

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.4A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15FS,LF

aksione: 931

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK40P03M1(T6RSS-Q)

aksione: 864

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK13A65U(STA4,Q,M)

aksione: 20263

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 650V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 mOhm @ 6.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TK4A60DA(STA4,Q,M)

aksione: 932

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 600V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 1.8A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8006-H(TE12LQM

aksione: 889

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 11A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8001-H(TE12LQM

aksione: 918

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 22A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3 mOhm @ 11A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J307T(TE85L,F)

aksione: 885

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4A, 4.5V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8A01-H(TE12LQM

aksione: 889

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 21A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9 mOhm @ 10.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J15CT(TPL3)

aksione: 984

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8048-H(TE12L,Q

aksione: 776

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 35A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 18A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J214FE(TE85L,F

aksione: 13222

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8111(TE12L,Q,M)

aksione: 632

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 5.5A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8102(TE12L,Q,M

aksione: 661

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 40A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 mOhm @ 20A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8018-H(TE12LQM

aksione: 618

Lloji FET: N-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 30A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2 mOhm @ 15A, 10V,

Listoj

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC6104(TE85L,F,M)

aksione: 607

Lloji FET: P-Channel, Teknologji: MOSFET (Metal Oxide), Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A (Ta), Tensioni i makinës (maksimumi i RDS-ve i aktivizuar, min-i i fiksuar): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

Listoj