Transistor&euml; - FET, MOSFET - Vargje

FDMS3616S

aksione: 2851

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 16A, 18A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6 mOhm @ 16A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar

FDW2507NZ

aksione: 2692

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 7.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar

NTQD6968NR2G

aksione: 2683

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 6.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar

NDS9925A

aksione: 2695

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

NTZD3154NT1H

aksione: 188943

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 540mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

ECH8675-TL-H

aksione: 2918

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

Për të demluar

FDS6984S

aksione: 2757

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A, 8.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

NDS9942

aksione: 2712

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 1A, 10V,

Për të demluar

NTMD2P01R2

aksione: 2666

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 16V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar

FDJ1027P

aksione: 2758

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 mOhm @ 2.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

Për të demluar

NDS9956A

aksione: 2657

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA,

Për të demluar

NTHD5905T1

aksione: 2720

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 8V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA,

Për të demluar

MMDF2N02ER2

aksione: 2712

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 25V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

NDM3000

aksione: 2702

Lloji FET: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

NDS8926

aksione: 2667

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 5.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

SIA511DJ-T1-GE3

aksione: 2748

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

SI1970DH-T1-GE3

aksione: 3345

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA,

Për të demluar

SI7911DN-T1-GE3

aksione: 3351

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

SIA914DJ-T1-E3

aksione: 2809

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

Për të demluar

SQJ940EP-T1_GE3

aksione: 137151

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 40V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 15A (Ta), 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar

SI4804BDY-T1-E3

aksione: 2731

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

SI1025X-T1-E3

aksione: 2759

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 190mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 500mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

SI1033X-T1-E3

aksione: 2716

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 145mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar

SI4544DY-T1-E3

aksione: 2827

Lloji FET: N and P-Channel, Common Drain, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Për të demluar

SIS902DN-T1-GE3

aksione: 5353

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 75V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186 mOhm @ 3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

Për të demluar

SI4830ADY-T1-GE3

aksione: 2864

Lloji FET: 2 N-Channel (Half Bridge), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

Për të demluar

SI5504DC-T1-GE3

aksione: 2847

Lloji FET: N and P-Channel, Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

Për të demluar

Diodes Incorporated

ZXMHC10A07T8TA

aksione: 83530

Lloji FET: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 100V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 1A, 800mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

Për të demluar

Diodes Incorporated

DI9945T

aksione: 2659

Lloji FET: 2 N-Channel (Dual), Tipar FET: Standard, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 60V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.5A, 10V,

Për të demluar

IRFHS9351TR2PBF

aksione: 2826

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 30V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 10µA,

Për të demluar

IRF7750

aksione: 2669

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 20V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 4.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

Për të demluar

IRF7754GTRPBF

aksione: 2807

Lloji FET: 2 P-Channel (Dual), Tipar FET: Logic Level Gate, Kullimi në tensionin e burimit (Vdss): 12V, Rryma - Kullimi i vazhdueshëm (Id) @ 25 ° C: 5.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

Për të demluar