Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

IXGH48N60A3D1
IXYS

IXGH48N60A3D1

aksione: 11559

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
IXXA30N65C3HV
IXYS

IXXA30N65C3HV

aksione: 232

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 52A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 113A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 24A, Fuqia - Maks: 230W,

Për të demluar
IXXA50N60B3
IXYS

IXXA50N60B3

aksione: 174

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A, Fuqia - Maks: 600W,

Për të demluar
IXBH42N170
IXYS

IXBH42N170

aksione: 3248

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 42A, Fuqia - Maks: 360W,

Për të demluar
IXGX120N60A3
IXYS

IXGX120N60A3

aksione: 5559

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 600A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 780W,

Për të demluar
IXYH8N250CV1HV
IXYS

IXYH8N250CV1HV

aksione: 4135

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 29A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 70A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 4V @ 15V, 8A, Fuqia - Maks: 280W,

Për të demluar
IXGT32N170 TRL
IXYS

IXGT32N170 TRL

aksione: 2627

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 350W,

Për të demluar
IXA17IF1200HJ
IXYS

IXA17IF1200HJ

aksione: 10804

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 28A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 100W,

Për të demluar
IXGH48N60B3D1
IXYS

IXGH48N60B3D1

aksione: 11495

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 280A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
IXXK100N60C3H1
IXYS

IXXK100N60C3H1

aksione: 3320

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 170A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 340A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 695W,

Për të demluar
IXGK75N250
IXYS

IXGK75N250

aksione: 850

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 170A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 530A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 150A, Fuqia - Maks: 780W,

Për të demluar
IXGP24N120C3
IXYS

IXGP24N120C3

aksione: 14251

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 48A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 96A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 4.2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar
IXYH30N170C
IXYS

IXYH30N170C

aksione: 5010

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 108A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 255A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 937W,

Për të demluar
RGTV60TK65DGVC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

aksione: 2908

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 33A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 76W,

Për të demluar
RGTV60TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

aksione: 2780

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 194W,

Për të demluar
RGTH40TS65GC11
Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

aksione: 30024

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 144W,

Për të demluar
IKW50N60TFKSA1
Infineon Technologies

IKW50N60TFKSA1

aksione: 2550

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 333W,

Për të demluar
IHW50N65R5XKSA1
Infineon Technologies

IHW50N65R5XKSA1

aksione: 15500

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 282W,

Për të demluar
IKA08N65F5XKSA1
Infineon Technologies

IKA08N65F5XKSA1

aksione: 36809

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10.8A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 24A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Fuqia - Maks: 31.2W,

Për të demluar
IGW100N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IGW100N60H3FKSA1

aksione: 13170

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 140A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 714W,

Për të demluar
STGP20H60DF
STMicroelectronics

STGP20H60DF

aksione: 49626

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 167W,

Për të demluar
STGW28IH125DF
STMicroelectronics

STGW28IH125DF

aksione: 15137

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1250V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 375W,

Për të demluar
STGP15M65DF2
STMicroelectronics

STGP15M65DF2

aksione: 31166

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 136W,

Për të demluar
STGFW20V60DF
STMicroelectronics

STGFW20V60DF

aksione: 21952

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 52W,

Për të demluar
STGFW40V60F
STMicroelectronics

STGFW40V60F

aksione: 14237

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 62.5W,

Për të demluar
STGF35HF60W
STMicroelectronics

STGF35HF60W

aksione: 26069

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 19A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 40W,

Për të demluar
STGB10M65DF2
STMicroelectronics

STGB10M65DF2

aksione: 47457

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 40A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Fuqia - Maks: 115W,

Për të demluar
STGYA120M65DF2AG
STMicroelectronics

STGYA120M65DF2AG

aksione: 258

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 160A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 360A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 120A, Fuqia - Maks: 625W,

Për të demluar
STGW20V60DF
STMicroelectronics

STGW20V60DF

aksione: 23968

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 167W,

Për të demluar
FGA50N100BNTD2
ON Semiconductor

FGA50N100BNTD2

aksione: 8702

Lloji IGBT: NPT and Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 156W,

Për të demluar
FGB3236-F085
ON Semiconductor

FGB3236-F085

aksione: 349

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 360V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 44A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 187W,

Për të demluar
FGAF40N60UFDTU
ON Semiconductor

FGAF40N60UFDTU

aksione: 19234

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 100W,

Për të demluar
NGTB50N60L2WG
ON Semiconductor

NGTB50N60L2WG

aksione: 9959

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 500W,

Për të demluar
FGB3245G2-F085
ON Semiconductor

FGB3245G2-F085

aksione: 305

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 23A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar
NGTD20T120F2WP
ON Semiconductor

NGTD20T120F2WP

aksione: 31770

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A,

Për të demluar
NGTG12N60TF1G
ON Semiconductor

NGTG12N60TF1G

aksione: 49912

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 24A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 88A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 54W,

Për të demluar