Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

STGWA30H65DFB
STMicroelectronics

STGWA30H65DFB

aksione: 287

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 260W,

Për të demluar
STGW50NC60W
STMicroelectronics

STGW50NC60W

aksione: 10191

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 285W,

Për të demluar
STGW20H60DF
STMicroelectronics

STGW20H60DF

aksione: 23785

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 167W,

Për të demluar
STGW60H60DLFB
STMicroelectronics

STGW60H60DLFB

aksione: 13953

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 375W,

Për të demluar
STGW10M65DF2
STMicroelectronics

STGW10M65DF2

aksione: 39390

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 20A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 40A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 10A, Fuqia - Maks: 115W,

Për të demluar
STGWA40H65DFB
STMicroelectronics

STGWA40H65DFB

aksione: 27428

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 283W,

Për të demluar
STGW30H60DLFB
STMicroelectronics

STGW30H60DLFB

aksione: 21640

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 260W,

Për të demluar
STGWT30H65FB
STMicroelectronics

STGWT30H65FB

aksione: 20096

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 260W,

Për të demluar
RGT80TS65DGC11
Rohm Semiconductor

RGT80TS65DGC11

aksione: 17933

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 234W,

Për të demluar
IXBX25N250
IXYS

IXBX25N250

aksione: 2004

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 55A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 180A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
IXDA20N120AS
IXYS

IXDA20N120AS

aksione: 17707

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 38A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 200W,

Për të demluar
IXGH12N120A3
IXYS

IXGH12N120A3

aksione: 21311

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 22A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 100W,

Për të demluar
IXYX100N120B3
IXYS

IXYX100N120B3

aksione: 5293

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 225A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 530A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 1150W,

Për të demluar
IXGH25N250
IXYS

IXGH25N250

aksione: 1975

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar
IXXH75N60C3D1
IXYS

IXXH75N60C3D1

aksione: 7523

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 300A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 750W,

Për të demluar
IXXX110N65B4H1
IXYS

IXXX110N65B4H1

aksione: 6107

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 240A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 630A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Fuqia - Maks: 880W,

Për të demluar
IXGX120N120A3
IXYS

IXGX120N120A3

aksione: 2905

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 240A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 600A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 830W,

Për të demluar
IXXQ30N60B3M
IXYS

IXXQ30N60B3M

aksione: 236

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 33A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 140A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A, Fuqia - Maks: 90W,

Për të demluar
IXGP28N60A3
IXYS

IXGP28N60A3

aksione: 219

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 170A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 24A, Fuqia - Maks: 190W,

Për të demluar
IXGH50N90B2
IXYS

IXGH50N90B2

aksione: 11772

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 900V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 400W,

Për të demluar
IXBX64N250
IXYS

IXBX64N250

aksione: 659

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 2500V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 156A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 600A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 64A, Fuqia - Maks: 735W,

Për të demluar
IXXH50N60C3
IXYS

IXXH50N60C3

aksione: 9959

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 36A, Fuqia - Maks: 600W,

Për të demluar
IKZ50N65ES5XKSA1
Infineon Technologies

IKZ50N65ES5XKSA1

aksione: 18003

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 274W,

Për të demluar
IKW25N120H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW25N120H3FKSA1

aksione: 11310

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 326W,

Për të demluar
IRGP50B60PD1PBF
Infineon Technologies

IRGP50B60PD1PBF

aksione: 10923

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 390W,

Për të demluar
IGW30N65L5XKSA1
Infineon Technologies

IGW30N65L5XKSA1

aksione: 16888

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 85A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 227W,

Për të demluar
IKB15N60TATMA1
Infineon Technologies

IKB15N60TATMA1

aksione: 59657

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 45A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 130W,

Për të demluar
IKW30N65WR5XKSA1
Infineon Technologies

IKW30N65WR5XKSA1

aksione: 20462

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 185W,

Për të demluar
SGP07N120XKSA1
Infineon Technologies

SGP07N120XKSA1

aksione: 24250

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 16.5A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 27A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.6V @ 15V, 8A, Fuqia - Maks: 125W,

Për të demluar
IGW50N60TPXKSA1
Infineon Technologies

IGW50N60TPXKSA1

aksione: 16179

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 319.2W,

Për të demluar
HGTG27N120BN
ON Semiconductor

HGTG27N120BN

aksione: 15836

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 72A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 216A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 27A, Fuqia - Maks: 500W,

Për të demluar
NGTB30N120IHRWG
ON Semiconductor

NGTB30N120IHRWG

aksione: 20044

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 384W,

Për të demluar
HGTG10N120BND
ON Semiconductor

HGTG10N120BND

aksione: 19849

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 35A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 10A, Fuqia - Maks: 298W,

Për të demluar
FGH40N60UFTU
ON Semiconductor

FGH40N60UFTU

aksione: 32584

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 290W,

Për të demluar
FGA50T65SHD
ON Semiconductor

FGA50T65SHD

aksione: 20124

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 319W,

Për të demluar
RJP65T43DPQ-A0#T2
Renesas Electronics America

RJP65T43DPQ-A0#T2

aksione: 17395

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar