Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - IGBT - Të vetme

IXGF25N300
IXYS

IXGF25N300

aksione: 1850

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 3000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 27A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 140A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 5.5V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 114W,

Për të demluar
IXYX100N65B3D1
IXYS

IXYX100N65B3D1

aksione: 4863

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 225A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 460A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 70A, Fuqia - Maks: 830W,

Për të demluar
IXYX50N170C
IXYS

IXYX50N170C

aksione: 3948

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 178A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 460A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 1500W,

Për të demluar
IXGP20N120A3
IXYS

IXGP20N120A3

aksione: 13793

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 180W,

Për të demluar
IXGH48N60C3C1
IXYS

IXGH48N60C3C1

aksione: 1566

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 75A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 250A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
IXGF36N300
IXYS

IXGF36N300

aksione: 1523

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 3000V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 36A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 400A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 5.2V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 160W,

Për të demluar
IXGK320N60A3
IXYS

IXGK320N60A3

aksione: 4463

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 320A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 700A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A, Fuqia - Maks: 1000W,

Për të demluar
IXGH30N60C3C1
IXYS

IXGH30N60C3C1

aksione: 2839

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 150A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 220W,

Për të demluar
IXYX30N170CV1
IXYS

IXYX30N170CV1

aksione: 3485

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 108A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 255A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 937W,

Për të demluar
IXBK75N170
IXYS

IXBK75N170

aksione: 1421

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1700V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 200A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 580A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 1040W,

Për të demluar
IXGH48N60B3
IXYS

IXGH48N60B3

aksione: 15024

Lloji IGBT: PT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 280A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 32A, Fuqia - Maks: 300W,

Për të demluar
STGW80H65DFB-4
STMicroelectronics

STGW80H65DFB-4

aksione: 8324

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 120A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A, Fuqia - Maks: 469W,

Për të demluar
STGW40NC60W
STMicroelectronics

STGW40NC60W

aksione: 11402

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 230A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 250W,

Për të demluar
STGB20M65DF2
STMicroelectronics

STGB20M65DF2

aksione: 56662

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 166W,

Për të demluar
STGP19NC60H
STMicroelectronics

STGP19NC60H

aksione: 12876

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 12A, Fuqia - Maks: 130W,

Për të demluar
STGWA40N120KD
STMicroelectronics

STGWA40N120KD

aksione: 8919

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 3.85V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 240W,

Për të demluar
STGW50HF60SD
STMicroelectronics

STGW50HF60SD

aksione: 10889

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 110A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 130A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.45V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 284W,

Për të demluar
STGW15H120F2
STMicroelectronics

STGW15H120F2

aksione: 11770

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 259W,

Për të demluar
STGF15H60DF
STMicroelectronics

STGF15H60DF

aksione: 31930

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 30A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A, Fuqia - Maks: 30W,

Për të demluar
NGTB40N65IHRTG
ON Semiconductor

NGTB40N65IHRTG

aksione: 867

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 160A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 405W,

Për të demluar
NGTB25N120FL2WG
ON Semiconductor

NGTB25N120FL2WG

aksione: 18823

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 50A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 100A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A, Fuqia - Maks: 385W,

Për të demluar
FGA30N60LSDTU
ON Semiconductor

FGA30N60LSDTU

aksione: 19793

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 480W,

Për të demluar
NGTD21T65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD21T65F2SWK

aksione: 28232

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

Për të demluar
NGTD14T65F2WP
ON Semiconductor

NGTD14T65F2WP

aksione: 44197

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A,

Për të demluar
FGB3040G2-F085
ON Semiconductor

FGB3040G2-F085

aksione: 292

Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 41A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A, Fuqia - Maks: 150W,

Për të demluar
FGH75T65SHDT-F155
ON Semiconductor

FGH75T65SHDT-F155

aksione: 1512

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 150A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 225A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 455W,

Për të demluar
FGA4060ADF
ON Semiconductor

FGA4060ADF

aksione: 25775

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A, Fuqia - Maks: 238W,

Për të demluar
NGTB60N65FL2WG
ON Semiconductor

NGTB60N65FL2WG

aksione: 6189

Lloji IGBT: Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 650V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 240A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 60A, Fuqia - Maks: 595W,

Për të demluar
IGB30N60TATMA1
Infineon Technologies

IGB30N60TATMA1

aksione: 48160

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 60A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 90A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 187W,

Për të demluar
IKQ50N120CT2XKSA1
Infineon Technologies

IKQ50N120CT2XKSA1

aksione: 8425

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 200A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A, Fuqia - Maks: 652W,

Për të demluar
IGW08T120FKSA1
Infineon Technologies

IGW08T120FKSA1

aksione: 39270

Lloji IGBT: NPT, Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 16A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 24A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 8A, Fuqia - Maks: 70W,

Për të demluar
IRGS30B60KTRRP
Infineon Technologies

IRGS30B60KTRRP

aksione: 32030

Lloji IGBT: NPT, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 78A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 120A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 30A, Fuqia - Maks: 370W,

Për të demluar
IKB20N60H3ATMA1
Infineon Technologies

IKB20N60H3ATMA1

aksione: 48636

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 80A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 170W,

Për të demluar
IHW20N120R3FKSA1
Infineon Technologies

IHW20N120R3FKSA1

aksione: 19197

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 40A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 60A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A, Fuqia - Maks: 310W,

Për të demluar
IKW75N60H3FKSA1
Infineon Technologies

IKW75N60H3FKSA1

aksione: 9369

Lloji IGBT: Trench Field Stop, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 600V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 80A, Rryma - Kolektori i impulsuar (Icm): 225A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A, Fuqia - Maks: 428W,

Për të demluar
RJH1CV7DPK-00#T0
Renesas Electronics America

RJH1CV7DPK-00#T0

aksione: 10155

Lloji IGBT: Trench, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 1200V, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 70A, Vce (më) (Maks.) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 35A, Fuqia - Maks: 320W,

Për të demluar