Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

BD533
STMicroelectronics

BD533

aksione: 47038

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 600mA, 6A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 2A, 2V,

Për të demluar
BC847BWT1G
ON Semiconductor

BC847BWT1G

aksione: 137675

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC847A-7-F
Diodes Incorporated

BC847A-7-F

aksione: 145796

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC858C-7-F
Diodes Incorporated

BC858C-7-F

aksione: 155437

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC817-25Q-7-F
Diodes Incorporated

BC817-25Q-7-F

aksione: 215

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Për të demluar
BC848B-7-F
Diodes Incorporated

BC848B-7-F

aksione: 196569

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC846A-7-F
Diodes Incorporated

BC846A-7-F

aksione: 131205

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC858B-7-F
Diodes Incorporated

BC858B-7-F

aksione: 196811

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC856A-7-F
Diodes Incorporated

BC856A-7-F

aksione: 131700

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC857B-7-F
Diodes Incorporated

BC857B-7-F

aksione: 179269

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC817-40Q-7-F
Diodes Incorporated

BC817-40Q-7-F

aksione: 127681

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Për të demluar
BC857A-7-F
Diodes Incorporated

BC857A-7-F

aksione: 110410

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC817-40Q-13-F
Diodes Incorporated

BC817-40Q-13-F

aksione: 179251

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Për të demluar
BC856B-13-F
Diodes Incorporated

BC856B-13-F

aksione: 129791

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC338-25 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-25 B1G

aksione: 254

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
BC550A A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC550A A1G

aksione: 215

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC857B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC857B RFG

aksione: 232

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC807-25 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-25 RFG

aksione: 215

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 200nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Për të demluar
BC337-16 B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-16 B1G

aksione: 232

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
BC858C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC858C RFG

aksione: 177

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC850AW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC850AW RFG

aksione: 216

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC848A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC848A RFG

aksione: 258

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC850BW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC850BW RFG

aksione: 185

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC817-40W RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-40W RFG

aksione: 201

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Për të demluar
BC546A B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC546A B1G

aksione: 218

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC807-25W RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-25W RFG

aksione: 170

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Për të demluar
BC858B RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC858B RFG

aksione: 253

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC546B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC546B B1G

aksione: 168

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC546C A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC546C A1G

aksione: 182

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC848C RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC848C RFG

aksione: 197

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC858A RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC858A RFG

aksione: 190

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC337-40 A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-40 A1G

aksione: 173

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
BC549B A1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC549B A1G

aksione: 180

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC848AW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC848AW RFG

aksione: 230

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC548B B1G
Taiwan Semiconductor Corporation

BC548B B1G

aksione: 196

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BC847BW RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

BC847BW RFG

aksione: 200

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar