Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

BD244A
ON Semiconductor

BD244A

aksione: 189127

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 6A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 6A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 700µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V,

Për të demluar
BDX53BG
ON Semiconductor

BDX53BG

aksione: 183172

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Për të demluar
BD135G
ON Semiconductor

BD135G

aksione: 128554

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
BU406G
ON Semiconductor

BU406G

aksione: 65392

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 7A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 200V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 5mA,

Për të demluar
BDX54BG
ON Semiconductor

BDX54BG

aksione: 81401

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 12mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Për të demluar
BD681S
ON Semiconductor

BD681S

aksione: 107750

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 100V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Për të demluar
BD13910S
ON Semiconductor

BD13910S

aksione: 149489

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
BDX33BG
ON Semiconductor

BDX33BG

aksione: 81448

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 6mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 3A, 3V,

Për të demluar
BD809G
ON Semiconductor

BD809G

aksione: 74770

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 300mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 4A, 2V,

Për të demluar
BDW46G
ON Semiconductor

BDW46G

aksione: 77908

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 3V @ 50mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 2mA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 4V,

Për të demluar
BD242BG
ON Semiconductor

BD242BG

aksione: 116726

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 3A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 600mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 300µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V,

Për të demluar
BUT11AFTU
ON Semiconductor

BUT11AFTU

aksione: 77085

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 2.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 1mA,

Për të demluar
BD679AG
ON Semiconductor

BD679AG

aksione: 106187

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Për të demluar
BD788G
ON Semiconductor

BD788G

aksione: 159272

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 800mA, 4A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 3V,

Për të demluar
BD676AG
ON Semiconductor

BD676AG

aksione: 122105

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Për të demluar
BU323ZG
ON Semiconductor

BU323ZG

aksione: 26349

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.7V @ 250mA, 10A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 5A, 4.6V,

Për të demluar
BD437TG
ON Semiconductor

BD437TG

aksione: 103977

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 800mV @ 300mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

Për të demluar
BD139G
ON Semiconductor

BD139G

aksione: 130827

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
BD678AG
ON Semiconductor

BD678AG

aksione: 106804

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Për të demluar
BD135TG
ON Semiconductor

BD135TG

aksione: 148462

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
BD680A
STMicroelectronics

BD680A

aksione: 77092

Lloji i tranzitorit: PNP - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.8V @ 40mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 2A, 3V,

Për të demluar
BU508AF
STMicroelectronics

BU508AF

aksione: 34795

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 700V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 200µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
BUL510
STMicroelectronics

BUL510

aksione: 31372

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 10A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 250µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V,

Për të demluar
BULT106D
STMicroelectronics

BULT106D

aksione: 55962

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 230V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 400mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 250µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V,

Për të demluar
BUL89
STMicroelectronics

BUL89

aksione: 45219

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 12A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 5V @ 2.4A, 12A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V,

Për të demluar
BU941ZPFI
STMicroelectronics

BU941ZPFI

aksione: 18084

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 15A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 350V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2V @ 300mA, 12A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 5A, 10V,

Për të demluar
BU508AW
STMicroelectronics

BU508AW

aksione: 26229

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 700V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1V @ 1.6A, 4.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 200µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V,

Për të demluar
BUL381D
STMicroelectronics

BUL381D

aksione: 38825

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.1V @ 750mA, 3A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 250µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 2A, 5V,

Për të demluar
BUL1102EFP
STMicroelectronics

BUL1102EFP

aksione: 63193

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 450V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 400mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

Për të demluar
BD679
STMicroelectronics

BD679

aksione: 4293

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 4A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 80V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 500µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

Për të demluar
BUL741
STMicroelectronics

BUL741

aksione: 71832

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 2.5A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 2A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 250µA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 450mA, 3V,

Për të demluar
BC847AT-7
Diodes Incorporated

BC847AT-7

aksione: 147927

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar
BCP5516TA
Diodes Incorporated

BCP5516TA

aksione: 157431

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 60V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
BCX5110TA
Diodes Incorporated

BCX5110TA

aksione: 175234

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

Për të demluar
BST50,115
Nexperia USA Inc.

BST50,115

aksione: 110984

Lloji i tranzitorit: NPN - Darlington, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 1A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 50nA, Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

Për të demluar
BU806
Central Semiconductor Corp

BU806

aksione: 64952

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 8A, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 400V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 5A, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100µA,

Për të demluar