Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

Shtëpi
Kategoria e produkteve
Produkte diskrete gjysmëpërçuese
Transistorët - Bipolar (BJT) - Beqar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC857A RFG

aksione: 183

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC849AW RFG

aksione: 265

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548A A1G

aksione: 207

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC857C RFG

aksione: 191

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547C A1G

aksione: 229

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC846BW RFG

aksione: 186

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550A B1G

aksione: 236

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548A B1G

aksione: 186

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547B A1G

aksione: 167

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847AW RFG

aksione: 181

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549A A1G

aksione: 214

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-16 A1G

aksione: 205

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-16W RFG

aksione: 264

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546C B1G

aksione: 210

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-40 A1G

aksione: 218

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO),

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-16 RFG

aksione: 171

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC847C RFG

aksione: 230

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-16 RFG

aksione: 256

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 200nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC849BW RFG

aksione: 183

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-25W RFG

aksione: 259

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC848CW RFG

aksione: 243

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC337-16 A1G

aksione: 192

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC548C B1G

aksione: 263

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC849CW RFG

aksione: 197

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-40 RFG

aksione: 233

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550B B1G

aksione: 174

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC817-25 RFG

aksione: 254

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC549B B1G

aksione: 215

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 30V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550C B1G

aksione: 256

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC856B RFG

aksione: 263

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC547A A1G

aksione: 201

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-16W RFG

aksione: 206

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC338-25 A1G

aksione: 190

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 800mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 25V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 100nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC807-40 RFG

aksione: 215

Lloji i tranzitorit: PNP, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 500mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Saturation Vce (Maks.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 200nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC546B A1G

aksione: 229

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 65V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

Taiwan Semiconductor Corporation

BC550C A1G

aksione: 202

Lloji i tranzitorit: NPN, Rryma - Kolektori (Ic) (Maks.): 100mA, Tensioni - Ndarja e Emetuesit të Kolektorit (Maks.): 45V, Rryma - Shkurtimi i Koleksionistëve (Maks.): 15nA (ICBO), Fitimi i Rrymës DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V,

Për të demluar

3600

«
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
»