Menu
Republika e ShqipërisëRepublika e Shqipërisë
RFQs / Rendit
0RFQs / Rendit

Diodat - Ndreqësit - Një

  • Shtëpi
  •  
  • Diodat - Ndreqësit - Një
CMS17(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS17(TE12L,Q,M)

aksione: 117

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 480mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS30I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I40A(TE12L,QM

aksione: 100

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CRF02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF02(TE85L,Q,M)

aksione: 88

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 800V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 3V @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 100ns,

Listoj
CRS20I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS20I30A(TE85L,QM

aksione: 166057

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CRS12(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS12(TE85L,Q,M)

aksione: 177271

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CRS15I30B(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS15I30B(TE85L,QM

aksione: 79

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 400mV @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS15(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS15(TE12L,Q,M)

aksione: 163

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMF01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF01(TE12L,Q,M)

aksione: 194437

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 100ns,

Listoj
CRG04(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG04(TE85L,Q,M)

aksione: 185173

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CRF03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRF03(TE85L,Q,M)

aksione: 157727

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 700mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 2V @ 700mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 100ns,

Listoj
CRH01(TE85R,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85R,Q,M)

aksione: 160805

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 980mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj
CMS10I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I30A(TE12L,QM

aksione: 142

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 360mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS07(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS07(TE12L,Q,M)

aksione: 160837

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CRG03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRG03(TE85L,Q,M)

aksione: 187277

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS10I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS10I40A(TE12L,QM

aksione: 192

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CRS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS03(TE85L,Q,M)

aksione: 104522

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS20I40A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS20I40A(TE12L,QM

aksione: 152

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 520mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CES520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES520,L3F

aksione: 178640

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 600mV @ 200mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj
CES521,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES521,L3F

aksione: 160204

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 200mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 500mV @ 200mA, Shpejtësia: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

Listoj
TRS12E65C,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12E65C,S1Q

aksione: 5730

Lloji i diodës: Silicon Carbide Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 650V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 12A (DC), Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.7V @ 12A, Shpejtësia: No Recovery Time > 500mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 0ns,

Listoj
CUS06(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS06(TE85L,Q,M)

aksione: 236

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 450mV @ 700mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS14(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS14(TE12L,Q,M)

aksione: 113027

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 60V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 580mV @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CUS10I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10I30A(TE85L,QM

aksione: 200

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 390mV @ 700mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS16(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS16(TE12L,Q,M)

aksione: 182845

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 550mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMG02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG02(TE12L,Q,M)

aksione: 177

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CUS15I30A(TE85L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS15I30A(TE85L,QM

aksione: 158

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1.5A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 460mV @ 1.5A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMH01(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH01(TE12L,Q,M)

aksione: 162

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 980mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 100ns,

Listoj
CUS03(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS03(TE85L,Q,M)

aksione: 175

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 40V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 700mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 520mV @ 700mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CUS05(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05(TE85L,Q,M)

aksione: 154

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 20V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 370mV @ 700mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CRH02(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH02(TE85L,Q,M)

aksione: 159

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 500mA, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 950mV @ 500mA, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj
CMH04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH04(TE12L,Q,M)

aksione: 168712

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 200V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 980mV @ 1A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj
CMH08A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH08A(TE12L,Q,M)

aksione: 153282

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.8V @ 2A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 35ns,

Listoj
CMC02(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMC02(TE12L,Q,M)

aksione: 171

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 1A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1V @ 1A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMS30I30A(TE12L,QM
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS30I30A(TE12L,QM

aksione: 187

Lloji i diodës: Schottky, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 30V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 490mV @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Listoj
CMH02A(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMH02A(TE12L,Q,M)

aksione: 184

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 400V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 3A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.8V @ 3A, Shpejtësia: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Koha e rikuperimit të kundërt (trr): 100ns,

Listoj
CMG03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMG03(TE12L,Q,M)

aksione: 172

Lloji i diodës: Standard, Tensioni - E kundërta DC (Vr) (Maks.): 600V, Rryma - Mesatarja e korrigjuar (Io): 2A, Tensioni - Përpara (Vf) (Maks.) @ Nëse: 1.1V @ 2A, Shpejtësia: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Listoj